Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N10S3L34ATMA2
IPD30N10S3L34ATMA2

IPD30N10S3L34ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD30N10S3L-34-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a908963135956
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.18 грн
10+86.02 грн
100+58.10 грн
500+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N10S3L34ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD30N10S3L34ATMA2 за ціною від 35.24 грн до 143.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD30N10S3L34ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N10S3L-34-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a908963135956 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 30A; 57W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD30N10S3L_34_DataSheet_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.76 грн
10+90.76 грн
100+52.96 грн
500+42.09 грн
1000+38.63 грн
2500+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N10S3L-34-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a908963135956 Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.