IPD30N10S3L34ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 139.79 грн |
| 10+ | 85.78 грн |
| 100+ | 57.94 грн |
| 500+ | 43.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD30N10S3L34ATMA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPD30N10S3L34ATMA2 за ціною від 35.14 грн до 143.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD30N10S3L34ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 30A; 57W; DPAK; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Power dissipation: 57W Case: DPAK Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IPD30N10S3L34ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPD30N10S3L34ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 30A; 57W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 30A; 57W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 48.59 грн |
| IPD30N10S3L34ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 143.36 грн |
| 10+ | 90.50 грн |
| 100+ | 52.81 грн |
| 500+ | 41.97 грн |
| 1000+ | 38.52 грн |
| 2500+ | 35.14 грн |