Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N12S3L31ATMA1
IPD30N12S3L31ATMA1

IPD30N12S3L31ATMA1 Infineon Technologies

215infineon-ipd30n12s3l-31-ds-v01_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a015.pdf Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS -T Power-Transistor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N12S3L31ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPD30N12S3L31ATMA1 за ціною від 27.3 грн до 84.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD30N12S3L31ATMA1 IPD30N12S3L31ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD30N12S3L_31_DataSheet_v01_01_EN-3362329.pdf MOSFET N-CHANNEL 100+
на замовлення 6915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.58 грн
10+ 64.64 грн
100+ 44.48 грн
500+ 37.63 грн
1000+ 30.63 грн
2500+ 27.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD30N12S3L31ATMA1 IPD30N12S3L31ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N12S3L-31-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158bae780ec7fd2 Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.28 грн
10+ 72.77 грн
100+ 56.72 грн
500+ 43.97 грн
1000+ 34.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD30N12S3L31ATMA1 IPD30N12S3L31ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N12S3L-31-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158bae780ec7fd2 Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
товар відсутній