Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N12S3L31ATMA1
IPD30N12S3L31ATMA1

IPD30N12S3L31ATMA1 Infineon Technologies

215infineon-ipd30n12s3l-31-ds-v01_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a015.pdf Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS -T Power-Transistor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N12S3L31ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD30N12S3L31ATMA1 за ціною від 28.22 грн до 112.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD30N12S3L31ATMA1 IPD30N12S3L31ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD30N12S3L-31-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158bae780ec7fd2 Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.13 грн
500+43.30 грн
1000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA1 IPD30N12S3L31ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002837959-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.03 грн
11+80.30 грн
100+55.38 грн
500+41.38 грн
1000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA1 IPD30N12S3L31ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N12S3L-31-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158bae780ec7fd2 Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.82 грн
10+70.73 грн
100+50.90 грн
500+38.04 грн
1000+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA1 IPD30N12S3L31ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD30N12S3L_31_DataSheet_v01_01_EN-3362329.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.44 грн
10+75.89 грн
100+45.24 грн
500+36.12 грн
1000+33.18 грн
2500+31.86 грн
5000+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA1 IPD30N12S3L31ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N12S3L-31-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158bae780ec7fd2 Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.