IPD30N12S3L31ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 32.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD30N12S3L31ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD30N12S3L31ATMA1 за ціною від 31.04 грн до 120.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD30N12S3L31ATMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD30N12S3L31ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD30N12S3L31ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 57W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD30N12S3L31ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-CHANNEL 100+ |
на замовлення 4664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD30N12S3L31ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 57W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |