Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD320N20N3GATMA1
IPD320N20N3GATMA1

IPD320N20N3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD320N20N3+G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f1701249669796017f3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+93.07 грн
5000+84.46 грн
7500+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD320N20N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm.

Інші пропозиції IPD320N20N3GATMA1 за ціною від 74.01 грн до 296.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD320N20N3GATMA1 IPD320N20N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD320N20N3 G-DS-v02_03-en.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.89 грн
10+159.68 грн
100+99.38 грн
500+87.40 грн
2500+74.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1 IPD320N20N3GATMA1 INFINEON INFNS16305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+268.89 грн
10+175.97 грн
100+128.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1 IPD320N20N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD320N20N3+G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f1701249669796017f3 Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 11611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.56 грн
10+186.16 грн
100+129.81 грн
500+99.22 грн
1000+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD320N20N3+G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f1701249669796017f3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 200V; 34A; 136W; PG-TO252-3
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 136W
Technology: MOSFET
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+108.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1 Infineon-IPD320N20N3 G-DS-v02_03-en.pdf
IPD320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+231.89 грн
10+159.68 грн
100+99.38 грн
500+87.40 грн
2500+74.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1 INFNS16305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD320N20N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+268.89 грн
10+175.97 грн
100+128.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1 Infineon-IPD320N20N3+G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f1701249669796017f3
IPD320N20N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 11611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+296.56 грн
10+186.16 грн
100+129.81 грн
500+99.22 грн
1000+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1 Infineon-IPD320N20N3+G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f1701249669796017f3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 200V; 34A; 136W; PG-TO252-3
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 136W
Technology: MOSFET
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+108.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.