IPD33CN10NGATMA1

IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies


8674ipp35cn10n_rev1.091.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD33CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 58W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD33CN10NGATMA1 за ціною від 26.12 грн до 104.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8674ipp35cn10n_rev1.091.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP35CN10N_DS_v01_91_en-1731871.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.09 грн
10+54.33 грн
100+34.98 грн
500+29.24 грн
1000+27.43 грн
2500+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 Description: INFINEON - IPD33CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.60 грн
16+52.99 грн
100+41.68 грн
500+35.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8674ipp35cn10n_rev1.091.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
125+97.62 грн
128+95.84 грн
164+74.60 грн
250+71.27 грн
500+54.19 грн
1000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8674ipp35cn10n_rev1.091.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+100.69 грн
10+90.64 грн
25+88.99 грн
100+66.79 грн
250+61.28 грн
500+48.30 грн
1000+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
на замовлення 28538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.40 грн
10+55.86 грн
100+40.06 грн
500+32.15 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1
Код товару: 195321
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8674ipp35cn10n_rev1.091.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 IPD33CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.