IPD33CN10NGATMA1
Код товару: 195321
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IPD33CN10NGATMA1 за ціною від 22.13 грн до 120.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD33CN10NGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD33CN10NGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V |
на замовлення 27858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD33CN10NGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 1843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPD33CN10NGATMA1 | Виробник : Infineon |
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IPD33CN10NGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 108A; 58W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 58W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| RP-1205S Код товару: 207083
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RP-1212S Код товару: 204462
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TMR2411 Код товару: 62242
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMBJ40CA Код товару: 28283
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Fairchild Semiconductor
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMB (DO-214AA)
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMB (DO-214AA)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.