IPD33CN10NGATMA1
Код товару: 195321
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IPD33CN10NGATMA1 за ціною від 24.99 грн до 129.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 1843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V |
на замовлення 27832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPD33CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 34.78 грн |
| 5000+ | 31.08 грн |
| 7500+ | 29.85 грн |
| 12500+ | 26.72 грн |
| 17500+ | 25.95 грн |
| IPD33CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 39.47 грн |
| 5000+ | 39.09 грн |
| IPD33CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 39.55 грн |
| IPD33CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 39.55 грн |
| IPD33CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 39.96 грн |
| 5000+ | 39.58 грн |
| IPD33CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 346+ | 41.08 грн |
| 348+ | 40.80 грн |
| 350+ | 40.51 грн |
| 500+ | 38.79 грн |
| 1000+ | 35.67 грн |
| IPD33CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 41.36 грн |
| 25+ | 41.08 грн |
| 100+ | 39.34 грн |
| 250+ | 36.17 грн |
| 500+ | 34.48 грн |
| 1000+ | 34.24 грн |
| IPD33CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 120.00 грн |
| 10+ | 71.69 грн |
| 100+ | 32.10 грн |
| 500+ | 25.82 грн |
| 1000+ | 24.99 грн |
| IPD33CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
на замовлення 27832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 128.14 грн |
| 10+ | 78.45 грн |
| 100+ | 52.24 грн |
| 500+ | 38.49 грн |
| 1000+ | 35.10 грн |
| IPD33CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 128.36 грн |
| 15+ | 52.35 грн |
| 100+ | 40.30 грн |
| IPD33CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 110+ | 129.25 грн |
| 269+ | 52.71 грн |
| 350+ | 40.59 грн |
З цим товаром купують
| RP-1205S Код товару: 207083
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RP-1212S Код товару: 204462
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TMR2411 Код товару: 62242
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMBJ40CA Код товару: 28283
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMB (DO-214AA)
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMB (DO-214AA)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.





