Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > IPD33CN10NGATMA1

IPD33CN10NGATMA1

Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1
Код товару: 195321
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD33CN10NGATMA1 за ціною від 25.89 грн до 128.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.71 грн
5000+31.01 грн
7500+29.78 грн
12500+26.66 грн
17500+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.38 грн
5000+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.88 грн
5000+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+40.99 грн
348+40.70 грн
350+40.42 грн
500+38.71 грн
1000+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.27 грн
25+40.99 грн
100+39.25 грн
250+36.09 грн
500+34.41 грн
1000+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
на замовлення 27832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.86 грн
10+78.28 грн
100+52.12 грн
500+38.41 грн
1000+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.07 грн
15+52.24 грн
100+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+128.96 грн
269+52.59 грн
350+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP35CN10N_DS_v01_91_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 INFINEON INFNS30237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD33CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf
IPD33CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1
IPD33CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.71 грн
5000+31.01 грн
7500+29.78 грн
12500+26.66 грн
17500+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf
IPD33CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.38 грн
5000+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf
IPD33CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf
IPD33CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf
IPD33CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.88 грн
5000+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf
IPD33CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
346+40.99 грн
348+40.70 грн
350+40.42 грн
500+38.71 грн
1000+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf
IPD33CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+41.27 грн
25+40.99 грн
100+39.25 грн
250+36.09 грн
500+34.41 грн
1000+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf
IPD33CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
305+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1
IPD33CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
на замовлення 27832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.86 грн
10+78.28 грн
100+52.12 грн
500+38.41 грн
1000+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf
IPD33CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+128.07 грн
15+52.24 грн
100+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf
IPD33CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
110+128.96 грн
269+52.59 грн
350+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 Infineon_IPP35CN10N_DS_v01_91_en.pdf
IPD33CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 INFNS30237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD33CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD33CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

RP-1205S
Код товару: 207083
Додати до обраних Обраний товар
RP.pdf
Блоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
товару немає в наявності
очікується: 12 шт
  • 12 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
RP-1212S
Код товару: 204462
Додати до обраних Обраний товар
RP.pdf
Блоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
товару немає в наявності
очікується: 10 шт
  • 10 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
TMR2411
Код товару: 62242
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ40CA
Код товару: 28283
Додати до обраних Обраний товар
SMBJ40CA.pdf
SMBJ40CA
Виробник: Fairchild Semiconductor
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMB (DO-214AA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.