Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > IPD33CN10NGATMA1

IPD33CN10NGATMA1

Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1
Код товару: 195321
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD33CN10NGATMA1 за ціною від 22.24 грн до 121.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
439+29.47 грн
446+29.01 грн
454+28.55 грн
461+27.08 грн
500+24.66 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 439
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.90 грн
5000+26.72 грн
7500+25.66 грн
12500+22.97 грн
17500+22.31 грн
25000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+31.57 грн
25+31.08 грн
100+29.49 грн
250+26.86 грн
500+25.37 грн
1000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
305+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 305
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
на замовлення 27858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.85 грн
10+67.38 грн
100+44.90 грн
500+33.09 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD33CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+119.03 грн
18+47.61 грн
100+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP35CN10N_DS_v01_91_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.48 грн
10+72.57 грн
100+32.50 грн
500+26.14 грн
1000+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipp35cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 108A; 58W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

RP-1205S
Код товару: 207083
Додати до обраних Обраний товар
RP.pdf
Блоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RP-1212S
Код товару: 204462
Додати до обраних Обраний товар
RP.pdf
Блоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TMR2411
Код товару: 62242
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ40CA
Код товару: 28283
Додати до обраних Обраний товар
SMBJ40CA.pdf
SMBJ40CA
Виробник: Fairchild Semiconductor
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMB (DO-214AA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.