IPD350N06LG Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 208+ | 70.64 грн |
| 250+ | 67.81 грн |
| 500+ | 65.36 грн |
| 1000+ | 60.97 грн |
| 2500+ | 54.78 грн |
| 5000+ | 51.18 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
208 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD350N06LG Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 29A, Power dissipation: 68W, Case: DPAK3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 35mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 10nC, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPD350N06LG за ціною від 17.45 грн до 89.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD350N06L G | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2 |
на замовлення 1195 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPD350N06L G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 29A Power dissipation: 68W Case: DPAK3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 4650 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPD350N06L G |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.53 грн |
| 10+ | 41.18 грн |
| 100+ | 30.77 грн |
| 500+ | 24.53 грн |
| 1000+ | 22.95 грн |
| 2500+ | 19.49 грн |
| 5000+ | 17.45 грн |
| IPD350N06L G |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 114+ | 51.02 грн |
| 300+ | 43.38 грн |
| 500+ | 42.62 грн |
| 1000+ | 37.78 грн |
| 4000+ | 37.19 грн |