IPD350N06LG Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 208+ | 68.06 грн |
| 250+ | 65.33 грн |
| 500+ | 62.97 грн |
| 1000+ | 58.74 грн |
| 2500+ | 52.78 грн |
| 5000+ | 49.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD350N06LG Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 29A, Power dissipation: 68W, Case: DPAK3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 35mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 10nC, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPD350N06LG за ціною від 38.01 грн до 52.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD350N06L G | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2 |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPD350N06L G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 29A Power dissipation: 68W Case: DPAK3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IPD350N06L G | Infineon |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPD350N06LG | infineon | 07+ to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPD350N06L G |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPD350N06L G |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 114+ | 52.15 грн |
| 300+ | 44.27 грн |
| 500+ | 43.51 грн |
| 1000+ | 38.60 грн |
| 4000+ | 38.01 грн |
| IPD350N06L G |
Виробник: Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IPD350N06LG |
Виробник: infineon
07+ to-252/d-pak
07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)