Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD350N06LGBTMA1
IPD350N06LGBTMA1

IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies

ipd350n06lgrev1.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPD350N06LGBTMA1 за ціною від 21.94 грн до 84.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd350n06lgrev1.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
532+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 532
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd350n06lgrev1.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+36.28 грн
22+34.36 грн
25+33.57 грн
100+30.50 грн
250+27.75 грн
500+25.31 грн
1000+24.19 грн
3000+23.07 грн
6000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD350N06LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.26 грн
11+41.05 грн
100+26.92 грн
500+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982 Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.48 грн
10+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD350N06LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.32 грн
10+51.15 грн
100+32.31 грн
500+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd350n06lgrev1.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982 Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD350N06LG__DS_v01_03_en-3359999.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.