Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD350N06LGBTMA1
IPD350N06LGBTMA1

IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies

IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.68 грн
5000+18.36 грн
7500+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPD350N06LGBTMA1 за ціною від 21.05 грн до 80.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies ipd350n06lgrev1.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
532+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies ipd350n06lgrev1.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.62 грн
22+35.64 грн
25+34.81 грн
100+31.62 грн
250+28.78 грн
500+26.25 грн
1000+25.09 грн
3000+23.93 грн
6000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD350N06LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.38 грн
11+41.12 грн
100+26.97 грн
500+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982 Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.41 грн
10+48.77 грн
100+31.98 грн
500+23.23 грн
1000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 ipd350n06lgrev1.1.pdf
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
532+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 ipd350n06lgrev1.1.pdf
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+37.62 грн
22+35.64 грн
25+34.81 грн
100+31.62 грн
250+28.78 грн
500+26.25 грн
1000+25.09 грн
3000+23.93 грн
6000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LG-DTE.pdf
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.38 грн
11+41.12 грн
100+26.97 грн
500+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.41 грн
10+48.77 грн
100+31.98 грн
500+23.23 грн
1000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.