Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD35N10S3L26ATMA1
IPD35N10S3L26ATMA1

IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 71W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.

Інші пропозиції IPD35N10S3L26ATMA1 за ціною від 61.95 грн до 259.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.11 грн
5000+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.34 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+68.81 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I70N10S3L_12-DS-01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.18 грн
10+99.17 грн
100+67.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+166.66 грн
125+113.16 грн
500+90.27 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+259.72 грн
10+166.66 грн
100+113.16 грн
500+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 INFINEON INFNS17130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 INFINEON INFNS17130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD35N10S3L26ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+62.11 грн
5000+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD35N10S3L26ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+68.34 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD35N10S3L26ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
206+68.81 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD35N10S3L26ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+95.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD35N10S3L26ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
367+96.53 грн
500+86.88 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon-IPP_B_I70N10S3L_12-DS-01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b&ack=t
IPD35N10S3L26ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.18 грн
10+99.17 грн
100+67.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD35N10S3L26ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
85+166.66 грн
125+113.16 грн
500+90.27 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD35N10S3L26ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+259.72 грн
10+166.66 грн
100+113.16 грн
500+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 INFNS17130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD35N10S3L26ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 INFNS17130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD35N10S3L26ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.