Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD35N10S3L26ATMA1
IPD35N10S3L26ATMA1

IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies

ipd35n10s3l-26_ds_1_11.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD35N10S3L26ATMA1 за ціною від 41.82 грн до 109.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.93 грн
5000+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I70N10S3L_12-DS-01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.55 грн
5000+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.72 грн
5000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+52.94 грн
25+52.11 грн
100+49.45 грн
250+45.04 грн
500+42.53 грн
1000+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
214+57.01 грн
217+56.12 грн
221+55.23 грн
250+52.39 грн
500+47.71 грн
1000+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
149+81.96 грн
188+64.75 грн
200+60.86 грн
221+53.21 грн
500+47.02 грн
1000+44.93 грн
2000+43.87 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
368+82.86 грн
Мінімальне замовлення: 368
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS17130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+84.80 грн
50+67.18 грн
100+57.88 грн
500+50.69 грн
1000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I70N10S3L_12-DS-01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.79 грн
10+70.41 грн
100+55.01 грн
500+47.44 грн
1000+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD35N10S3L_26_DataSheet_v01_02_EN-3362283.pdf MOSFETs N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 8210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.60 грн
10+79.08 грн
100+54.68 грн
500+48.73 грн
1000+43.96 грн
2500+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd35n10s3l-26-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I70N10S3L_12-DS-01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I70N10S3L_12-DS-01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.