IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 45.25 грн |
| 5000+ | 42.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD35N10S3L26ATMA1 за ціною від 42.32 грн до 161.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD35N10S3L26ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD35N10S3L26ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD35N10S3L26ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD35N10S3L26ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD35N10S3L26ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD35N10S3L26ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T |
на замовлення 1660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD35N10S3L26ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD35N10S3L26ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD35N10S3L26ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD35N10S3L26ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD35N10S3L26ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPD35N10S3L26ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A Power dissipation: 71W Case: PG-TO252-3-11 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS® -T Pulsed drain current: 140A |
товару немає в наявності |