Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD35N10S3L26ATMA2
IPD35N10S3L26ATMA2

IPD35N10S3L26ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD35N10S3L-26-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD35N10S3L26ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD35N10S3L26ATMA2 за ціною від 46.77 грн до 162.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD35N10S3L26ATMA2 IPD35N10S3L26ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD35N10S3L-26-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.75 грн
10+100.15 грн
100+68.01 грн
500+50.92 грн
1000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD35N10S3L-26-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b SP005549678
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD35N10S3L_26_DataSheet_v01_02_EN-3362283.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.