Продукція > INFINEON > IPD35N10S3L26ATMA2
IPD35N10S3L26ATMA2

IPD35N10S3L26ATMA2 INFINEON

Infineon-IPD35N10S3L-26-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+71.36 грн
500+52.87 грн
1000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD35N10S3L26ATMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 71W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.

Інші пропозиції IPD35N10S3L26ATMA2 за ціною від 41.49 грн до 173.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD35N10S3L26ATMA2 IPD35N10S3L26ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD35N10S3L-26-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA2 IPD35N10S3L26ATMA2 INFINEON Infineon-IPD35N10S3L-26-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.30 грн
10+105.51 грн
100+71.36 грн
500+52.87 грн
1000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD35N10S3L_26_DataSheet_v01_02_EN.pdf MOSFETs 100 V, N-Ch, 24 m? max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS-T
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.16 грн
10+108.76 грн
100+69.72 грн
500+58.13 грн
1000+53.36 грн
2500+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA2 Infineon-IPD35N10S3L-26-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b
IPD35N10S3L26ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA2 Infineon-IPD35N10S3L-26-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b
IPD35N10S3L26ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+164.30 грн
10+105.51 грн
100+71.36 грн
500+52.87 грн
1000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA2 Infineon_IPD35N10S3L_26_DataSheet_v01_02_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100 V, N-Ch, 24 m? max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS-T
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.16 грн
10+108.76 грн
100+69.72 грн
500+58.13 грн
1000+53.36 грн
2500+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.