IPD380P06NMATMA1

IPD380P06NMATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipd380p06nm-ds-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 35A T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD380P06NMATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD380P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD380P06NMATMA1 за ціною від 47.15 грн до 155.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD380P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2ea8300b7 Description: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD380P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2ea8300b7 Description: INFINEON - IPD380P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+85.27 грн
50+80.14 грн
100+75.02 грн
500+68.23 грн
1000+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD380P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2ea8300b7 Description: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
на замовлення 16662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.36 грн
10+85.29 грн
100+65.22 грн
500+55.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD380P06NM-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 34629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.50 грн
10+87.41 грн
100+61.77 грн
500+55.68 грн
1000+54.38 грн
2500+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD380P06NMATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD380P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2ea8300b7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; P; 60V; 35A; 125W; DPAK,TO252
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 38mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 125W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Polarisation: P
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.