IPD42DP15LMATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPD42DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.3345 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 133.29 грн |
| 10+ | 89.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD42DP15LMATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPD42DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.3345 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3345ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3345ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD42DP15LMATMA1 за ціною від 35.63 грн до 156.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD42DP15LMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V |
на замовлення 2514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD42DP15LMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 5524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD42DP15LMATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD42DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.3345 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3345ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3345ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IPD42DP15LMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P Channel Power Mosfet |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IPD42DP15LMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |