Продукція > INFINEON > IPD50N03S2L06ATMA1
IPD50N03S2L06ATMA1

IPD50N03S2L06ATMA1 INFINEON

Infineon-IPD50N03S2L_06-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270cfc3b6e&ack=t Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N03S2L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+53.06 грн
1000+45.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N03S2L06ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD50N03S2L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD50N03S2L06ATMA1 за ціною від 45.09 грн до 168.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD50N03S2L06ATMA1 IPD50N03S2L06ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD50N03S2L_06-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270cfc3b6e&ack=t Description: INFINEON - IPD50N03S2L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.35 грн
10+101.95 грн
100+77.87 грн
500+53.06 грн
1000+45.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S2L06ATMA1 IPD50N03S2L06ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50N03S2L_06-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270cfc3b6e&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.52 грн
10+104.45 грн
100+71.36 грн
500+53.67 грн
1000+49.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S2L06ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPD50N03S2L_06-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270cfc3b6e&ack=t
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S2L06ATMA1 IPD50N03S2L06ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd50n03s2l-06_green.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S2L06ATMA1 IPD50N03S2L06ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd50n03s2l-06_green.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S2L06ATMA1 IPD50N03S2L06ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50N03S2L_06-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270cfc3b6e&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.