IPD50N04S4-08 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 252+ | 56.20 грн |
| 263+ | 53.94 грн |
| 500+ | 52.00 грн |
| 1000+ | 48.51 грн |
| 2500+ | 43.58 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
252 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD50N04S4-08 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; 40V; 50A; 46W; DPAK3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ T2, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 50A, Power dissipation: 46W, Case: DPAK3, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Application: automotive industry, Semiconductor structure: single transistor.
Інші пропозиції IPD50N04S4-08 за ціною від 30.69 грн до 42.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD50N04S4-08 | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2 |
на замовлення 16127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPD50N04S4-08 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; 40V; 50A; 46W; DPAK3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T2 Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 46W Case: DPAK3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Semiconductor structure: single transistor |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPD50N04S4-08 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 16127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPD50N04S4-08 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; 40V; 50A; 46W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 46W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; 40V; 50A; 46W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 46W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 137+ | 42.81 грн |
| 300+ | 35.73 грн |
| 500+ | 34.72 грн |
| 1000+ | 30.69 грн |