Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50N04S408ATMA1
IPD50N04S408ATMA1

IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 46W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm.

Інші пропозиції IPD50N04S408ATMA1 за ціною від 20.46 грн до 86.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+38.05 грн
1010+35.10 грн
10000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+38.05 грн
1010+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+38.05 грн
1010+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+40.36 грн
368+38.56 грн
369+38.43 грн
500+33.11 грн
1000+29.47 грн
2500+28.09 грн
5000+26.33 грн
10000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.56 грн
265+53.67 грн
341+41.57 грн
500+34.08 грн
1000+28.44 грн
2500+21.73 грн
5000+21.13 грн
7500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+52.28 грн
50+38.80 грн
100+32.31 грн
500+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 INFINEON INFNS15018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 27970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipd50n04s4_08_ds_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 INFINEON INFNS15018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 27970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
932+38.05 грн
1010+35.10 грн
10000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
932+38.05 грн
1010+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
932+38.05 грн
1010+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
352+40.36 грн
368+38.56 грн
369+38.43 грн
500+33.11 грн
1000+29.47 грн
2500+28.09 грн
5000+26.33 грн
10000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+80.56 грн
265+53.67 грн
341+41.57 грн
500+34.08 грн
1000+28.44 грн
2500+21.73 грн
5000+21.13 грн
7500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.21 грн
10+52.28 грн
50+38.80 грн
100+32.31 грн
500+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 INFNS15018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 27970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 infineon_ipd50n04s4_08_ds_en.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 INFNS15018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 27970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.