Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50N04S408ATMA1
IPD50N04S408ATMA1

IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 46W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm.

Інші пропозиції IPD50N04S408ATMA1 за ціною від 16.85 грн до 92.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 29059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.28 грн
500+24.20 грн
1000+19.88 грн
5000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+37.96 грн
1010+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+37.96 грн
1010+35.02 грн
10000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+37.96 грн
1010+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.38 грн
265+53.55 грн
341+41.48 грн
500+34.01 грн
1000+28.38 грн
2500+21.68 грн
5000+21.09 грн
7500+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.26 грн
10+50.32 грн
100+33.15 грн
500+24.17 грн
1000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 29059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.16 грн
18+47.94 грн
100+35.28 грн
500+24.20 грн
1000+19.88 грн
5000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD50N04S4_08_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 5349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.10 грн
10+51.55 грн
100+32.21 грн
500+25.30 грн
1000+23.05 грн
2500+19.81 грн
5000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 29059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+35.28 грн
500+24.20 грн
1000+19.88 грн
5000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
932+37.96 грн
1010+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
932+37.96 грн
1010+35.02 грн
10000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
932+37.96 грн
1010+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
176+80.38 грн
265+53.55 грн
341+41.48 грн
500+34.01 грн
1000+28.38 грн
2500+21.68 грн
5000+21.09 грн
7500+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.26 грн
10+50.32 грн
100+33.15 грн
500+24.17 грн
1000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 29059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+87.16 грн
18+47.94 грн
100+35.28 грн
500+24.20 грн
1000+19.88 грн
5000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 Infineon_IPD50N04S4_08_DS_v01_00_en.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 5349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+92.10 грн
10+51.55 грн
100+32.21 грн
500+25.30 грн
1000+23.05 грн
2500+19.81 грн
5000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 infineonipd50n04s408dsv0100en.pdf
IPD50N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.