Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50N04S408ATMA1
IPD50N04S408ATMA1

IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies

ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0072 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPD50N04S408ATMA1 за ціною від 21.27 грн до 66.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
352+34.07 грн
368+ 32.55 грн
369+ 32.44 грн
500+ 27.95 грн
1000+ 24.88 грн
2500+ 23.71 грн
5000+ 22.23 грн
10000+ 21.27 грн
Мінімальне замовлення: 352
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0072 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 32991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+38.98 грн
500+ 31.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0072 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 32991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+51.39 грн
17+ 45.8 грн
100+ 38.98 грн
500+ 31.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD50N04S4_08_DS_v01_00_en-1227064.pdf MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 7866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+63 грн
10+ 52.21 грн
100+ 38.3 грн
500+ 33.11 грн
1000+ 26.97 грн
2500+ 24.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
на замовлення 6609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.47 грн
10+ 52.06 грн
100+ 40.51 грн
500+ 32.23 грн
1000+ 26.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD50N04S408ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IPD50N04S408ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній