Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50N04S410ATMA1
IPD50N04S410ATMA1

IPD50N04S410ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 50A; 41W; DPAK; automotive industry
Power dissipation: 41W
Gate charge: 18.2nC
Polarisation: N
Technology: MOSFET
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N04S410ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 41W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm.

Інші пропозиції IPD50N04S410ATMA1 за ціною від 21.43 грн до 99.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.24 грн
5000+26.53 грн
7500+25.64 грн
12500+23.75 грн
17500+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.29 грн
5000+26.59 грн
7500+25.70 грн
12500+23.81 грн
17500+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies ipd50n04s4-10_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.57 грн
5000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
964+36.46 грн
1045+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 964 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
964+36.46 грн
1045+33.62 грн
10000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 964 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
964+36.46 грн
1045+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 964 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.76 грн
10+59.15 грн
100+38.86 грн
500+28.31 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+99.94 грн
208+67.83 грн
213+66.17 грн
229+59.17 грн
308+40.83 грн
329+36.70 грн
500+31.37 грн
1000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 6309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 6309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.24 грн
5000+26.53 грн
7500+25.64 грн
12500+23.75 грн
17500+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.29 грн
5000+26.59 грн
7500+25.70 грн
12500+23.81 грн
17500+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 ipd50n04s4-10_ds_1_0.pdf
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.57 грн
5000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
964+36.46 грн
1045+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 964 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
964+36.46 грн
1045+33.62 грн
10000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 964 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
964+36.46 грн
1045+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 964 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.76 грн
10+59.15 грн
100+38.86 грн
500+28.31 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
141+99.94 грн
208+67.83 грн
213+66.17 грн
229+59.17 грн
308+40.83 грн
329+36.70 грн
500+31.37 грн
1000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 6309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 6309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.