Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50N04S410ATMA1
IPD50N04S410ATMA1

IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies

infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+28.43 грн
5000+26.71 грн
7500+25.82 грн
12500+23.91 грн
17500+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 41W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm.

Інші пропозиції IPD50N04S410ATMA1 за ціною від 16.35 грн до 100.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.49 грн
5000+26.77 грн
7500+25.87 грн
12500+23.97 грн
17500+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 6309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.35 грн
500+24.13 грн
1000+20.16 грн
5000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
964+36.71 грн
1045+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 964 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
964+36.71 грн
1045+33.85 грн
10000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 964 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
964+36.71 грн
1045+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 964 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.67 грн
10+49.10 грн
100+32.29 грн
500+23.52 грн
1000+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 6309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.81 грн
15+55.18 грн
100+36.35 грн
500+24.13 грн
1000+20.16 грн
5000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+100.61 грн
208+68.28 грн
213+66.62 грн
229+59.56 грн
308+41.10 грн
329+36.94 грн
500+31.58 грн
1000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 50A; 41W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
Gate charge: 18.2nC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+28.49 грн
5000+26.77 грн
7500+25.87 грн
12500+23.97 грн
17500+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 6309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+36.35 грн
500+24.13 грн
1000+20.16 грн
5000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
964+36.71 грн
1045+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 964 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
964+36.71 грн
1045+33.85 грн
10000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 964 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
964+36.71 грн
1045+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 964 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+81.67 грн
10+49.10 грн
100+32.29 грн
500+23.52 грн
1000+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 6309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+88.81 грн
15+55.18 грн
100+36.35 грн
500+24.13 грн
1000+20.16 грн
5000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 infineonipd50n04s410dsv0100en.pdf
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
141+100.61 грн
208+68.28 грн
213+66.62 грн
229+59.56 грн
308+41.10 грн
329+36.94 грн
500+31.58 грн
1000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 50A; 41W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
Gate charge: 18.2nC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.