Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50N04S4L08ATMA1
IPD50N04S4L08ATMA1

IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+20.95 грн
5000+18.63 грн
7500+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 46W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm.

Інші пропозиції IPD50N04S4L08ATMA1 за ціною від 21.43 грн до 113.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s4l08datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.67 грн
5000+25.41 грн
7500+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s4l08datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s4l08datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 22148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.69 грн
500+26.34 грн
1000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s4l08datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s4l08datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+37.96 грн
1010+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s4l08datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+37.96 грн
1010+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s4l08datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+37.96 грн
1010+35.02 грн
10000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 22148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.49 грн
50+53.86 грн
100+35.69 грн
500+26.34 грн
1000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.26 грн
10+50.32 грн
100+33.15 грн
500+24.17 грн
1000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies infineonipd50n04s4l08datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.57 грн
216+65.72 грн
315+44.90 грн
500+34.49 грн
1000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD50N04S4L_08_DataSheet_v01_10_EN.pdf MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 3516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.48 грн
10+69.38 грн
100+39.68 грн
500+31.22 грн
1000+26.64 грн
2500+24.18 грн
5000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 infineonipd50n04s4l08datasheetv0110en.pdf
IPD50N04S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+26.67 грн
5000+25.41 грн
7500+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 infineonipd50n04s4l08datasheetv0110en.pdf
IPD50N04S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 infineonipd50n04s4l08datasheetv0110en.pdf
IPD50N04S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t
IPD50N04S4L08ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 22148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+35.69 грн
500+26.34 грн
1000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 infineonipd50n04s4l08datasheetv0110en.pdf
IPD50N04S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 infineonipd50n04s4l08datasheetv0110en.pdf
IPD50N04S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
932+37.96 грн
1010+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 infineonipd50n04s4l08datasheetv0110en.pdf
IPD50N04S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
932+37.96 грн
1010+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 infineonipd50n04s4l08datasheetv0110en.pdf
IPD50N04S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
932+37.96 грн
1010+35.02 грн
10000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t
IPD50N04S4L08ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 22148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+81.49 грн
50+53.86 грн
100+35.69 грн
500+26.34 грн
1000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t
IPD50N04S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.26 грн
10+50.32 грн
100+33.15 грн
500+24.17 грн
1000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 infineonipd50n04s4l08datasheetv0110en.pdf
IPD50N04S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
155+91.57 грн
216+65.72 грн
315+44.90 грн
500+34.49 грн
1000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon_IPD50N04S4L_08_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IPD50N04S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 3516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.48 грн
10+69.38 грн
100+39.68 грн
500+31.22 грн
1000+26.64 грн
2500+24.18 грн
5000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.