IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 20.35 грн |
| 5000+ | 19.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPD50N04S4L08ATMA1 за ціною від 19.13 грн до 85.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD50N04S4L08ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD50N04S4L08ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD50N04S4L08ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD50N04S4L08ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD50N04S4L08ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 25068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD50N04S4L08ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD50N04S4L08ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD50N04S4L08ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 25068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD50N04S4L08ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2 |
на замовлення 8760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD50N04S4L08ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD50N04S4L08ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| IPD50N04S4L08ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 49A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PG-TO252-3-313 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 7.3mΩ Power dissipation: 46W Technology: OptiMOS® -T2 Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 40V Drain current: 49A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| IPD50N04S4L08ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 49A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PG-TO252-3-313 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 7.3mΩ Power dissipation: 46W Technology: OptiMOS® -T2 Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 40V Drain current: 49A |
товару немає в наявності |