Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50N06S214ATMA2
IPD50N06S214ATMA2

IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies

ipd50n06s2-14_green.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+57.54 грн
5000+55.74 грн
10000+54.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50N06S214ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0108 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD50N06S214ATMA2 за ціною від 46.84 грн до 161.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies ipd50n06s2-14_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.44 грн
5000+60.48 грн
10000+58.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.64 грн
10+100.14 грн
100+68.04 грн
500+50.98 грн
1000+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Description: INFINEON - IPD50N06S214ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0108 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Description: INFINEON - IPD50N06S214ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0108 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 ipd50n06s2-14_green.pdf
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+62.44 грн
5000+60.48 грн
10000+58.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.64 грн
10+100.14 грн
100+68.04 грн
500+50.98 грн
1000+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N06S214ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0108 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N06S214ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0108 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.