IPD50N06S2L13ATMA2

IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon Technologies


Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50N06S2L13ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD50N06S2L13ATMA2 за ціною від 44.51 грн до 112.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a Description: INFINEON - IPD50N06S2L13ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.07 грн
500+54.18 грн
1000+47.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a Description: INFINEON - IPD50N06S2L13ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.47 грн
50+70.31 грн
100+61.07 грн
500+54.18 грн
1000+47.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.46 грн
10+73.49 грн
100+58.54 грн
500+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S2L_13_DS_v01_00_en-1731785.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 30472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.44 грн
10+87.99 грн
100+58.05 грн
500+48.85 грн
1000+45.54 грн
2500+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.