Продукція > INFINEON > IPD50N06S409ATMA2
IPD50N06S409ATMA2

IPD50N06S409ATMA2 INFINEON

INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N06S409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.76 грн
500+38.39 грн
1000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N06S409ATMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IPD50N06S409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD50N06S409ATMA2 за ціною від 29.94 грн до 107.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s4-09_ds_11.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
221+55.25 грн
227+53.87 грн
230+53.27 грн
257+45.85 грн
269+40.63 грн
500+36.52 грн
1000+34.87 грн
3000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s4-09_ds_11.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+56.18 грн
12+51.30 грн
25+50.02 грн
50+47.70 грн
100+39.42 грн
250+36.22 грн
500+33.91 грн
1000+32.38 грн
3000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Виробник : Infineon Technologies INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.13 грн
10+59.39 грн
100+43.84 грн
500+36.48 грн
1000+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Виробник : INFINEON INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPD50N06S409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+103.99 грн
50+70.15 грн
100+49.76 грн
500+38.39 грн
1000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4_09_DS_v01_02_en-1227078.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 8947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.29 грн
10+71.57 грн
100+44.14 грн
500+36.71 грн
1000+33.84 грн
2500+31.78 грн
5000+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s4-09_ds_11.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s4-09_ds_11.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Виробник : Infineon Technologies INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.