Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50N06S4L08ATMA2
IPD50N06S4L08ATMA2

IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies

INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD50N06S4L08ATMA2 за ціною від 26.01 грн до 122.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.89 грн
5000+33.48 грн
7500+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.24 грн
5000+35.72 грн
7500+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
589+54.86 грн
1000+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 589
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
589+54.86 грн
1000+50.59 грн
10000+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 589
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
589+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 589
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
589+54.86 грн
1000+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 589
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
589+54.86 грн
1000+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 589
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
128+101.53 грн
180+71.76 грн
200+70.38 грн
500+51.94 грн
1000+47.25 грн
2000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4L_08_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 9457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.95 грн
10+74.49 грн
100+43.09 грн
500+33.96 грн
1000+31.03 грн
2500+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.36 грн
10+74.70 грн
100+50.02 грн
500+37.01 грн
1000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.