Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50N06S4L08ATMA2
IPD50N06S4L08ATMA2

IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies

INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD50N06S4L08ATMA2 за ціною від 28.27 грн до 108.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s4l-08_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s4l-08_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.68 грн
5000+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.29 грн
10+63.64 грн
100+48.40 грн
500+35.80 грн
1000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S4L_08-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 10315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.81 грн
10+69.47 грн
100+46.39 грн
500+36.91 грн
1000+33.65 грн
2500+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s4l-08_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+108.37 грн
125+97.43 грн
153+79.78 грн
200+72.25 грн
500+59.44 грн
1000+47.24 грн
2000+45.29 грн
2500+43.52 грн
5000+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s4l-08_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s4l-08_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.