Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50N06S4L08ATMA2
IPD50N06S4L08ATMA2

IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies

INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD50N06S4L08ATMA2 за ціною від 36.15 грн до 132.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.17 грн
5000+36.62 грн
7500+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.32 грн
5000+36.77 грн
7500+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.25 грн
1000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.25 грн
1000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.25 грн
1000+55.57 грн
10000+49.55 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.25 грн
1000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.25 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+111.51 грн
180+78.81 грн
200+77.30 грн
500+57.04 грн
1000+51.89 грн
2000+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.03 грн
10+80.47 грн
50+60.55 грн
100+50.79 грн
500+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies infineon_ipd50n06s4l_08_ds_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 8677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.17 грн
5000+36.62 грн
7500+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.32 грн
5000+36.77 грн
7500+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
589+60.25 грн
1000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
589+60.25 грн
1000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
589+60.25 грн
1000+55.57 грн
10000+49.55 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
589+60.25 грн
1000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
589+60.25 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 infineonipd50n06s4l08dsv0100en.pdf
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
128+111.51 грн
180+78.81 грн
200+77.30 грн
500+57.04 грн
1000+51.89 грн
2000+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.03 грн
10+80.47 грн
50+60.55 грн
100+50.79 грн
500+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 infineon_ipd50n06s4l_08_ds_en.pdf
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 8677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.