Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50N06S4L12ATMA2
IPD50N06S4L12ATMA2

IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.96 грн
5000+24.05 грн
7500+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0096 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD50N06S4L12ATMA2 за ціною від 23.17 грн до 103.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50n06s4l12dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.03 грн
5000+26.77 грн
7500+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50n06s4l12dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.91 грн
5000+28.57 грн
7500+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s4l-12_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50n06s4l12dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
729+42.66 грн
1000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 729
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50n06s4l12dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 35777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
729+42.66 грн
1000+39.34 грн
10000+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 729
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50n06s4l12dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
729+42.66 грн
1000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 729
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0 Description: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0096 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.53 грн
500+46.12 грн
1000+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.33 грн
9+49.24 грн
25+44.12 грн
100+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.03 грн
10+51.00 грн
100+35.45 грн
500+31.46 грн
1000+27.24 грн
2500+23.48 грн
5000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50n06s4l12dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+82.16 грн
234+53.23 грн
236+52.90 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0 Description: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+84.18 грн
50+53.45 грн
100+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.99 грн
5+61.35 грн
25+52.94 грн
100+49.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.75 грн
10+63.22 грн
100+41.98 грн
500+30.85 грн
1000+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50n06s4l12dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.