Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50N06S4L12ATMA2

IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies

Name: IPD50N06S4L12ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 6108992-3
Price: 68650.00 UAH
Availability: InStock

Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	27.46 грн
5000+	24.50 грн
7500+	23.51 грн
12500+	21.02 грн
17500+	20.41 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD50N06S4L12ATMA2 за ціною від 22.91 грн до 119.53 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPD50N06S4L12ATMA2

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	29.22 грн
5000+	27.91 грн
7500+	27.51 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD50N06S4L12ATMA2

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	31.18 грн
5000+	29.78 грн
7500+	29.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD50N06S4L12ATMA2

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
729+	44.48 грн
1000+	41.01 грн

Мінімальне замовлення: 729

В кошику од. на суму грн.

IPD50N06S4L12ATMA2

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 35777 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
729+	44.48 грн
1000+	41.01 грн
10000+	36.57 грн

Мінімальне замовлення: 729

В кошику од. на суму грн.

IPD50N06S4L12ATMA2

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
729+	44.48 грн
1000+	41.01 грн

Мінімальне замовлення: 729

В кошику од. на суму грн.

IPD50N06S4L12ATMA2

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0096 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	54.92 грн
500+	43.27 грн
1000+	32.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD50N06S4L12ATMA2

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement

на замовлення 1560 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	81.66 грн
9+	51.33 грн
25+	46.00 грн
100+	43.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPD50N06S4L12ATMA2

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
152+	85.66 грн
234+	55.49 грн
236+	55.15 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

IPD50N06S4L12ATMA2

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 23977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	102.80 грн
10+	62.47 грн
100+	41.47 грн
500+	30.47 грн
1000+	27.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD50N06S4L12ATMA2

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET

на замовлення 2414 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	107.42 грн
10+	67.11 грн
100+	38.77 грн
500+	30.39 грн
1000+	27.62 грн
2500+	24.64 грн
5000+	22.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD50N06S4L12ATMA2

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	119.53 грн
50+	75.27 грн
100+	49.99 грн
500+	36.45 грн
1000+	30.67 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPD50N06S4L12ATMA2

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.