на замовлення 8371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 118.32 грн |
| 10+ | 71.26 грн |
| 100+ | 47.04 грн |
| 500+ | 39.53 грн |
| 1000+ | 36.41 грн |
| 2500+ | 32.02 грн |
| 5000+ | 30.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD50N08S413ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 72W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1711 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPD50N08S413ATMA1 за ціною від 38.07 грн до 125.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD50N08S413ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1711 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPD50N08S413ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IPD50N08S413ATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
IPD50N08S413ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPD50N08S413ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPD50N08S413ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPD50N08S413ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1711 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |