IPD50N10S3L-16 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 117+ | 121.10 грн |
| 122+ | 115.68 грн |
| 250+ | 111.04 грн |
| 500+ | 103.21 грн |
| 1000+ | 92.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD50N10S3L-16 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry, Application: automotive industry, Drain current: 50A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Case: DPAK3, On-state resistance: 15mΩ, Mounting: SMD, Power dissipation: 100W, Gate charge: 49nC.
Інші пропозиції IPD50N10S3L-16 за ціною від 72.80 грн до 141.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD50N10S3L-16 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T |
на замовлення 4330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPD50N10S3L-16 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry Application: automotive industry Drain current: 50A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: DPAK3 On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 100W Gate charge: 49nC |
на замовлення 1867 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IPD50N10S3L-16 | Infineon |
на замовлення 627500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPD50N10S3L-16 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
MOSFETs N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPD50N10S3L-16 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry
Application: automotive industry
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Gate charge: 49nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry
Application: automotive industry
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Gate charge: 49nC
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 141.30 грн |
| 50+ | 92.27 грн |
| 100+ | 86.34 грн |
| 300+ | 82.11 грн |
| 500+ | 73.65 грн |
| 1000+ | 72.80 грн |
| IPD50N10S3L-16 |
Виробник: Infineon
на замовлення 627500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)