IPD50N10S3L-16 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 117+ | 121.37 грн |
| 122+ | 115.94 грн |
| 250+ | 111.29 грн |
| 500+ | 103.44 грн |
| 1000+ | 92.66 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
117 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD50N10S3L-16 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 50A, Power dissipation: 100W, Case: DPAK3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 15mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 49nC, Application: automotive industry.
Інші пропозиції IPD50N10S3L-16 за ціною від 71.29 грн до 137.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD50N10S3L-16 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T |
на замовлення 4330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPD50N10S3L-16 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 100W Case: DPAK3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 49nC Application: automotive industry |
на замовлення 1867 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPD50N10S3L-16 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
MOSFETs N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPD50N10S3L-16 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Application: automotive industry
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 137.28 грн |
| 50+ | 90.57 грн |
| 100+ | 84.70 грн |
| 300+ | 80.51 грн |
| 500+ | 71.29 грн |



