Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50N10S3L16ATMA1
IPD50N10S3L16ATMA1

IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies

ipd50n10s3l-16_ds_1_1_neu.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD50N10S3L16ATMA1 за ціною від 57.51 грн до 198.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n10s3l-16-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+64.97 грн
5000+62.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n10s3l-16-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+65.46 грн
5000+63.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n10s3l-16-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+72.76 грн
10+70.80 грн
25+69.74 грн
100+64.89 грн
250+60.02 грн
500+57.56 грн
1000+57.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n10s3l-16-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
156+78.35 грн
160+76.25 грн
163+75.11 грн
168+69.88 грн
250+64.64 грн
500+61.99 грн
1000+61.93 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+89.74 грн
500+70.49 грн
1000+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n10s3l-16-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
101+121.04 грн
111+109.67 грн
136+90.01 грн
200+81.20 грн
500+74.91 грн
1000+63.94 грн
2000+59.59 грн
2500+59.50 грн
5000+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+164.66 грн
10+117.73 грн
100+89.74 грн
500+70.49 грн
1000+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.47 грн
10+123.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n10s3l-16-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: PG-TO252-3-11
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS® -T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Drain current: 38A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: PG-TO252-3-11
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS® -T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Drain current: 38A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.