IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 74.99 грн |
| 5000+ | 72.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPD50N10S3L16ATMA1 за ціною від 66.84 грн до 192.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Vgs (Max): ±20V |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD50N10S3L16ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
IPD50N10S3L16ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD50N10S3L16ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 81.37 грн |
| 5000+ | 78.67 грн |
| IPD50N10S3L16ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 90.44 грн |
| 10+ | 88.01 грн |
| 25+ | 86.69 грн |
| 100+ | 80.66 грн |
| 250+ | 74.61 грн |
| 500+ | 71.55 грн |
| 1000+ | 71.48 грн |
| IPD50N10S3L16ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 156+ | 90.44 грн |
| 160+ | 88.01 грн |
| 163+ | 86.69 грн |
| 168+ | 80.66 грн |
| 250+ | 74.61 грн |
| 500+ | 71.55 грн |
| 1000+ | 71.48 грн |
| IPD50N10S3L16ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 101+ | 139.71 грн |
| 111+ | 126.58 грн |
| 136+ | 103.90 грн |
| 200+ | 93.73 грн |
| 500+ | 86.47 грн |
| 1000+ | 73.80 грн |
| 2000+ | 68.78 грн |
| 2500+ | 68.68 грн |
| 5000+ | 66.84 грн |
| IPD50N10S3L16ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 192.43 грн |
| 10+ | 119.56 грн |
| IPD50N10S3L16ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD50N10S3L16ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)