Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50N10S3L16ATMA1
IPD50N10S3L16ATMA1

IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies

ipd50n10s3l-16_ds_1_1_neu.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD50N10S3L16ATMA1 за ціною від 58.26 грн до 215.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n10s3l-16-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+68.27 грн
5000+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n10s3l-16-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+79.36 грн
5000+76.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.41 грн
500+64.12 грн
1000+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n10s3l-16-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
156+82.33 грн
160+80.12 грн
163+78.92 грн
168+73.43 грн
250+67.92 грн
500+65.14 грн
1000+65.07 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n10s3l-16-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+88.21 грн
10+85.84 грн
25+84.55 грн
100+78.67 грн
250+72.77 грн
500+69.79 грн
1000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n10s3l-16-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
101+127.18 грн
111+115.23 грн
136+94.58 грн
200+85.32 грн
500+78.71 грн
1000+67.18 грн
2000+62.61 грн
2500+62.52 грн
5000+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.83 грн
10+111.95 грн
100+81.41 грн
500+64.12 грн
1000+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.90 грн
10+134.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50n10s3l-16-datasheet-v01_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
Technology: OptiMOS® -T
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3-11
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 38A
Drain-source voltage: 100V
On-state resistance: 15mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.