IPD50P03P4L11ATMA1

IPD50P03P4L11ATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipd50p03p4l-11-datasheet-v01_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
626+48.73 грн
1000+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 626
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50P03P4L11ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 58W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD50P03P4L11ATMA1 за ціною від 25.19 грн до 135.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD50P03P4L11ATMA1 IPD50P03P4L11ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50p03p4l-11-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
626+48.73 грн
1000+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 626
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1 IPD50P03P4L11ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS13308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+127.31 грн
500+115.04 грн
1000+65.69 грн
5000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1 IPD50P03P4L11ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS13308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.00 грн
10+131.58 грн
100+127.31 грн
500+115.04 грн
1000+65.69 грн
5000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1 IPD50P03P4L11ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd50p03p4l-11_ds_11.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1 IPD50P03P4L11ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd50p03p4l-11_ds_11.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50P03P4L_11-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8&ack=t IPD50P03P4L11ATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1 IPD50P03P4L11ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50P03P4L_11-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8&ack=t Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1 IPD50P03P4L11ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50P03P4L_11-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8&ack=t Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1 IPD50P03P4L11ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD50P03P4L_11_DataSheet_v01_02_EN-3362286.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.