Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50P03P4L11ATMA2
IPD50P03P4L11ATMA2

IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 58W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD50P03P4L11ATMA2 за ціною від 26.57 грн до 120.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8 Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.94 грн
10+58.57 грн
100+44.62 грн
500+32.98 грн
1000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8 Description: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.65 грн
13+64.14 грн
100+47.53 грн
500+33.29 грн
1000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50P03P4L_11_DataSheet_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.06 грн
10+69.38 грн
100+43.35 грн
500+34.33 грн
1000+31.29 грн
2500+27.98 грн
5000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.94 грн
10+58.57 грн
100+44.62 грн
500+32.98 грн
1000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+112.65 грн
13+64.14 грн
100+47.53 грн
500+33.29 грн
1000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon_IPD50P03P4L_11_DataSheet_v01_02_EN.pdf
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.06 грн
10+69.38 грн
100+43.35 грн
500+34.33 грн
1000+31.29 грн
2500+27.98 грн
5000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.