Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50P03P4L11ATMA2
IPD50P03P4L11ATMA2

IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+31.47 грн
5000+28.13 грн
7500+27.03 грн
12500+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 58W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD50P03P4L11ATMA2 за ціною від 31.73 грн до 115.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd50p03p4l-11-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd50p03p4l-11-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 122513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+56.78 грн
1000+52.35 грн
10000+46.68 грн
100000+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd50p03p4l-11-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+56.78 грн
1000+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd50p03p4l-11-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+56.78 грн
1000+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd50p03p4l-11-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+59.26 грн
250+56.88 грн
500+54.83 грн
1000+51.15 грн
2500+45.96 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd50p03p4l-11-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+103.00 грн
192+74.18 грн
207+68.51 грн
500+53.40 грн
1000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8 Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+70.67 грн
100+47.14 грн
500+34.78 грн
1000+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50P03P4L_11_DataSheet_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8 Description: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 INFINEON INFNS13308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 infineon-ipd50p03p4l-11-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 infineon-ipd50p03p4l-11-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 122513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
625+56.78 грн
1000+52.35 грн
10000+46.68 грн
100000+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 infineon-ipd50p03p4l-11-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
625+56.78 грн
1000+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 infineon-ipd50p03p4l-11-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
625+56.78 грн
1000+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 infineon-ipd50p03p4l-11-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+59.26 грн
250+56.88 грн
500+54.83 грн
1000+51.15 грн
2500+45.96 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 infineon-ipd50p03p4l-11-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
138+103.00 грн
192+74.18 грн
207+68.51 грн
500+53.40 грн
1000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.72 грн
10+70.67 грн
100+47.14 грн
500+34.78 грн
1000+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon_IPD50P03P4L_11_DataSheet_v01_02_EN.pdf
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 INFNS13308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.