IPD50P04P413ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P04P413ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 23289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 67.67 грн |
| 500+ | 53.95 грн |
| 1000+ | 40.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD50P04P413ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 58W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPD50P04P413ATMA1 за ціною від 40.53 грн до 88.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD50P04P413ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 23289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPD50P04P413ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPD50P04P413ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPD50P04P413ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPD50P04P413ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IPD50P04P413ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -45A; 58W Case: PG-TO252-3-313 Mounting: SMD Drain current: -45A On-state resistance: 12.6mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 58W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS® -P2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -200A Drain-source voltage: -40V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IPD50P04P413ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPD50P04P413ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPD50P04P413ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IPD50P04P413ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -45A; 58W Case: PG-TO252-3-313 Mounting: SMD Drain current: -45A On-state resistance: 12.6mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 58W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS® -P2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -200A Drain-source voltage: -40V |
товару немає в наявності |