IPD50P04P413ATMA2 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 38.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD50P04P413ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 58W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPD50P04P413ATMA2 за ціною від 28.31 грн до 131.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD50P04P413ATMA2 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 8943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD50P04P413ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD50P04P413ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 6750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD50P04P413ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPD50P04P413ATMA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; P; 40V; 50A; 58W; DPAK; automotive industry Technology: MOSFET Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: P Drain current: 50A Drain-source voltage: 40V Gate charge: 39nC On-state resistance: 9.2mΩ Gate-source voltage: 20V Power dissipation: 58W Application: automotive industry Case: DPAK Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
IPD50P04P413ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD50P04P413ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD50P04P413ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |