Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50P04P413ATMA2
IPD50P04P413ATMA2

IPD50P04P413ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD50P04P4-13-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+32.32 грн
5000+28.91 грн
7500+27.78 грн
12500+24.88 грн
17500+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50P04P413ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 58W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm.

Інші пропозиції IPD50P04P413ATMA2 за ціною від 27.91 грн до 141.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50P04P4-13-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3 Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.12 грн
500+38.79 грн
1000+32.70 грн
5000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50p04p413datasheetv0103en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+56.75 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50p04p413datasheetv0103en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 44828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+56.75 грн
1000+52.34 грн
10000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50p04p413datasheetv0103en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+56.75 грн
1000+52.34 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50P04P4-13-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3 Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.94 грн
10+72.39 грн
100+48.33 грн
500+35.69 грн
1000+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50P04P4-13-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3 Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.81 грн
11+80.09 грн
100+53.12 грн
500+38.79 грн
1000+32.70 грн
5000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50P04P4_13_DataSheet_v01_03_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.44 грн
10+87.54 грн
100+50.25 грн
500+39.89 грн
1000+35.38 грн
2500+32.35 грн
5000+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2 Infineon-IPD50P04P4-13-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3
IPD50P04P413ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+53.12 грн
500+38.79 грн
1000+32.70 грн
5000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2 infineonipd50p04p413datasheetv0103en.pdf
IPD50P04P413ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
624+56.75 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2 infineonipd50p04p413datasheetv0103en.pdf
IPD50P04P413ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 44828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
624+56.75 грн
1000+52.34 грн
10000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2 infineonipd50p04p413datasheetv0103en.pdf
IPD50P04P413ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
624+56.75 грн
1000+52.34 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2 Infineon-IPD50P04P4-13-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3
IPD50P04P413ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.94 грн
10+72.39 грн
100+48.33 грн
500+35.69 грн
1000+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2 Infineon-IPD50P04P4-13-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3
IPD50P04P413ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+125.81 грн
11+80.09 грн
100+53.12 грн
500+38.79 грн
1000+32.70 грн
5000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2 Infineon_IPD50P04P4_13_DataSheet_v01_03_EN.pdf
IPD50P04P413ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.44 грн
10+87.54 грн
100+50.25 грн
500+39.89 грн
1000+35.38 грн
2500+32.35 грн
5000+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.