IPD50P04P4L11ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 57.89 грн |
| 500+ | 48.03 грн |
| 1000+ | 39.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD50P04P4L11ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 58W, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm.
Інші пропозиції IPD50P04P4L11ATMA1 за ціною від 29.53 грн до 81.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD50P04P4L11ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 58W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm |
на замовлення 116253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD50P04P4L11ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2 |
на замовлення 17137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD50P04P4L11ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
IPD50P04P4L11ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPD50P04P4L11ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
на замовлення 116253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 80.67 грн |
| 50+ | 64.14 грн |
| 100+ | 57.89 грн |
| 500+ | 48.03 грн |
| 1000+ | 39.75 грн |
| IPD50P04P4L11ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
MOSFETs P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 17137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 81.82 грн |
| 10+ | 45.71 грн |
| 100+ | 38.55 грн |
| 500+ | 37.85 грн |
| 1000+ | 37.07 грн |
| 2500+ | 31.93 грн |
| 5000+ | 29.53 грн |
| IPD50P04P4L11ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD50P04P4L11ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)