Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50P04P4L11ATMA2
IPD50P04P4L11ATMA2

IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.26 грн
5000+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 58W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD50P04P4L11ATMA2 за ціною від 30.14 грн до 138.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50p04p4l-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
696+43.74 грн
1000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 696
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 71131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.43 грн
500+41.73 грн
1000+33.14 грн
5000+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 71131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.83 грн
10+82.22 грн
100+59.43 грн
500+41.73 грн
1000+33.14 грн
5000+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.89 грн
10+73.70 грн
100+49.41 грн
500+36.60 грн
1000+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD50P04P4L_11_DataSheet_v01_01_EN-3362551.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.53 грн
10+85.12 грн
100+50.80 грн
500+40.64 грн
1000+37.88 грн
2500+34.69 грн
5000+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50p04p4l-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
88+138.76 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50p04p4l-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50p04p4l-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50p04p4l-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50p04p4l-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -40A; 58W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -40A; 58W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.