Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50P04P4L11ATMA2
IPD50P04P4L11ATMA2

IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.50 грн
5000+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 58W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD50P04P4L11ATMA2 за ціною від 28.45 грн до 185.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50p04p4l11datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
410+59.55 грн
500+53.59 грн
1000+49.42 грн
Мінімальне замовлення: 410
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50p04p4l11datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
410+59.55 грн
500+53.59 грн
1000+49.42 грн
10000+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 410
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : INFINEON INFN-S-A0008993228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 68889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.87 грн
500+40.31 грн
1000+34.02 грн
5000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : INFINEON INFN-S-A0008993228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 68889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.78 грн
10+89.51 грн
100+59.87 грн
500+40.31 грн
1000+34.02 грн
5000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.40 грн
10+76.46 грн
100+51.25 грн
500+37.97 грн
1000+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD50P04P4L_11_DataSheet_v01_01_EN-3362551.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.62 грн
10+82.68 грн
100+48.18 грн
500+38.02 грн
1000+34.78 грн
2500+31.24 грн
5000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50p04p4l11datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+185.46 грн
136+90.29 грн
200+82.15 грн
1000+64.79 грн
2000+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50p04p4l-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50p04p4l-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50p04p4l11datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd50p04p4l11datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -40A; 58W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -40A; 58W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.