Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50R1K4CEAUMA1
IPD50R1K4CEAUMA1

IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD50R1K4CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139e7c997862ca7
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD50R1K4CEAUMA1 за ціною від 14.94 грн до 43.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD50R1K4CEAUMA1 IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies 1216374609151562dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1 IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies 1216374609151562dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1 IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50R1K4CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139e7c997862ca7 Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.87 грн
10+36.10 грн
100+25.09 грн
500+18.38 грн
1000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1 IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD50R1K4CE_DS_v02_04_EN-3164499.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1 IPD50R1K4CEAUMA1 INFINEON 2354539.pdf Description: INFINEON - IPD50R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1 IPD50R1K4CEAUMA1 INFINEON 2354539.pdf Description: INFINEON - IPD50R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1 1216374609151562dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
IPD50R1K4CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1 1216374609151562dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
IPD50R1K4CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon-IPD50R1K4CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139e7c997862ca7
IPD50R1K4CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.87 грн
10+36.10 грн
100+25.09 грн
500+18.38 грн
1000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon_IPD50R1K4CE_DS_v02_04_EN-3164499.pdf
IPD50R1K4CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1 2354539.pdf
IPD50R1K4CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEAUMA1 2354539.pdf
IPD50R1K4CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.