Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50R2K0CEAUMA1
IPD50R2K0CEAUMA1

IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD50R2K0CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed08fda5f0f0f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+11.68 грн
5000+10.28 грн
7500+9.79 грн
12500+8.67 грн
17500+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD50R2K0CEAUMA1 за ціною від 10.85 грн до 50.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD50R2K0CEAUMA1 IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD50R2K0CE_DS_v02_03_EN-1731730.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 5006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.10 грн
10+33.88 грн
100+21.71 грн
500+17.06 грн
1000+13.81 грн
2500+11.70 грн
10000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CEAUMA1 IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50R2K0CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed08fda5f0f0f Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
на замовлення 24537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.75 грн
11+29.93 грн
100+19.27 грн
500+13.78 грн
1000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Infineon-IPD50R2K0CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed08fda5f0f0f
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon_IPD50R2K0CE_DS_v02_03_EN-1731730.pdf
IPD50R2K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
на замовлення 5006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.10 грн
10+33.88 грн
100+21.71 грн
500+17.06 грн
1000+13.81 грн
2500+11.70 грн
10000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon-IPD50R2K0CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed08fda5f0f0f
IPD50R2K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
на замовлення 24537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+50.75 грн
11+29.93 грн
100+19.27 грн
500+13.78 грн
1000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon-IPD50R2K0CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed08fda5f0f0f
Виробник: Infineon
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.