IPD50R380CEAUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD50R380CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD50R380CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 98W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD50R380CEAUMA1 за ціною від 24.53 грн до 107.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD50R380CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD50R380CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD50R380CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD50R380CEAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50R380CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD50R380CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V |
на замовлення 18474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD50R380CEAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50R380CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD50R380CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 6210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPD50R380CEAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 500V; 14.1A; 98W; DPAK,TO252; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 500V Drain current: 14.1A Power dissipation: 98W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 24.8nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPD50R380CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET, TO-252-3 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
IPD50R380CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPD50R380CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |