Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50R399CPATMA1
IPD50R399CPATMA1

IPD50R399CPATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd50r399cp-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50R399CPATMA1 Infineon Technologies

Description: LOW POWER_LEGACY, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD50R399CPATMA1 за ціною від 42.50 грн до 148.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD50R399CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50r399cp-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+81.01 грн
10+75.82 грн
25+75.54 грн
100+66.42 грн
250+59.20 грн
500+53.95 грн
1000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50r399cp-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
140+87.24 грн
150+81.35 грн
165+71.52 грн
250+63.75 грн
500+58.10 грн
1000+56.57 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50R399CP-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432b16d655012b19cbfae82d36 Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.76 грн
10+74.53 грн
100+54.64 грн
500+44.81 грн
1000+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD50R399CP_DataSheet_v02_03_EN-3362356.pdf MOSFETs N-Ch 550V 9A DPAK-2
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.16 грн
10+98.47 грн
100+62.48 грн
250+58.20 грн
500+50.87 грн
1000+47.97 грн
2500+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50R399CP-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432b16d655012b19cbfae82d36 Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50r399cp-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD50R399CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 83W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.399Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD50R399CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 83W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.399Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.