Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50R399CPATMA1
IPD50R399CPATMA1

IPD50R399CPATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd50r399cp-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
140+92.51 грн
150+86.27 грн
165+75.84 грн
250+67.60 грн
500+61.61 грн
1000+59.98 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50R399CPATMA1 Infineon Technologies

Description: LOW POWER_LEGACY, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD50R399CPATMA1 за ціною від 41.14 грн до 142.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD50R399CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50r399cp-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+99.11 грн
10+92.76 грн
25+92.43 грн
100+81.26 грн
250+72.43 грн
500+66.01 грн
1000+64.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50R399CP-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432b16d655012b19cbfae82d36 Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.19 грн
10+86.71 грн
100+58.70 грн
500+43.83 грн
1000+41.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD50R399CP_DataSheet_v02_03_EN-3362356.pdf MOSFETs N-Ch 550V 9A DPAK-2
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.35 грн
10+94.61 грн
100+60.03 грн
250+55.92 грн
500+48.88 грн
1000+46.09 грн
2500+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd50r399cp-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD50R399CP-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432b16d655012b19cbfae82d36 Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.