Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50R3K0CEAUMA1
IPD50R3K0CEAUMA1

IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies

IPx50R3K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+11.07 грн
5000+9.73 грн
7500+9.26 грн
12500+8.20 грн
17500+7.91 грн
25000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD50R3K0CEAUMA1 за ціною від 8.74 грн до 47.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 INFINEON 2255685.pdf Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.81 грн
500+11.84 грн
1000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD50R3K0CE_DS_v02_03_EN-1731807.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.25 грн
15+21.80 грн
100+12.55 грн
500+12.48 грн
2500+9.59 грн
10000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 INFINEON 2255685.pdf Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.49 грн
38+21.87 грн
100+13.81 грн
500+11.84 грн
1000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies IPx50R3K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4 Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
на замовлення 29571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.58 грн
11+28.48 грн
100+18.33 грн
500+13.08 грн
1000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 2255685.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+13.81 грн
500+11.84 грн
1000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon_IPD50R3K0CE_DS_v02_03_EN-1731807.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+31.25 грн
15+21.80 грн
100+12.55 грн
500+12.48 грн
2500+9.59 грн
10000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 2255685.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+31.49 грн
38+21.87 грн
100+13.81 грн
500+11.84 грн
1000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPx50R3K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4
IPD50R3K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
на замовлення 29571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.58 грн
11+28.48 грн
100+18.33 грн
500+13.08 грн
1000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.