Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50R3K0CEAUMA1
IPD50R3K0CEAUMA1

IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies

IPx50R3K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+10.74 грн
5000+9.45 грн
7500+8.99 грн
12500+7.96 грн
17500+7.67 грн
25000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 26W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm.

Інші пропозиції IPD50R3K0CEAUMA1 за ціною від 11.41 грн до 48.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.34 грн
5000+13.32 грн
7500+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.36 грн
5000+13.34 грн
7500+13.21 грн
12500+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.36 грн
5000+13.34 грн
7500+13.21 грн
12500+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.54 грн
5000+13.49 грн
7500+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.65 грн
5000+15.03 грн
12500+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
885+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+40.63 грн
488+28.84 грн
493+28.55 грн
621+21.83 грн
1000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies IPx50R3K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4 Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
на замовлення 29571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.18 грн
11+27.65 грн
100+17.80 грн
500+12.70 грн
1000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.15 грн
19+41.04 грн
25+40.63 грн
100+27.81 грн
250+25.49 грн
500+19.40 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD50R3K0CE_DS_v02_03_EN-1731807.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 INFINEON IPx50R3K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4 Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 INFINEON IPx50R3K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4 Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.34 грн
5000+13.32 грн
7500+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.36 грн
5000+13.34 грн
7500+13.21 грн
12500+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.36 грн
5000+13.34 грн
7500+13.21 грн
12500+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.54 грн
5000+13.49 грн
7500+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.65 грн
5000+15.03 грн
12500+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
885+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
346+40.63 грн
488+28.84 грн
493+28.55 грн
621+21.83 грн
1000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPx50R3K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4
IPD50R3K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
на замовлення 29571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.18 грн
11+27.65 грн
100+17.80 грн
500+12.70 грн
1000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+48.15 грн
19+41.04 грн
25+40.63 грн
100+27.81 грн
250+25.49 грн
500+19.40 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon_IPD50R3K0CE_DS_v02_03_EN-1731807.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPx50R3K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4
IPD50R3K0CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEAUMA1 IPx50R3K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4
IPD50R3K0CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.