IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 10.68 грн |
| 5000+ | 10.25 грн |
| 7500+ | 10.23 грн |
| 12500+ | 9.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V, Power Dissipation (Max): 26W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPD50R3K0CEAUMA1 за ціною від 9.85 грн до 46.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD50R3K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD50R3K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD50R3K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD50R3K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD50R3K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V |
на замовлення 13994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD50R3K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD50R3K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD50R3K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 4988 шт: термін постачання 249-258 дні (днів) |
|