IPD50R500CE Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IPD50R500 - 500V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
на замовлення 116541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 792+ | 28.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD50R500CE Infineon Technologies
Description: IPD50R500 - 500V COOLMOS N-CHANN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-344, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPD50R500CE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD50R500CE | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 500V 24A DPAK-2 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |