Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50R500CEAUMA1
IPD50R500CEAUMA1

IPD50R500CEAUMA1 Infineon Technologies

dgdl?fileId=db3a3043382e83730138514ff7881004 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.16 грн
5000+20.95 грн
7500+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50R500CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD50R500CEAUMA1 за ціною від 17.97 грн до 44.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 4968196043815011dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043382e837.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 4968196043815011dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043382e837.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 4968196043815011dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043382e837.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+29.73 грн
25+29.70 грн
100+25.31 грн
250+23.40 грн
500+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 4968196043815011dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043382e837.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Виробник : INFINEON 2255646.pdf Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a3043382e83730138514ff7881004 Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
на замовлення 16506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.49 грн
10+38.76 грн
100+30.44 грн
500+26.53 грн
1000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD50R500CE_DS_v02_02_EN-1731773.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.78 грн
10+42.87 грн
25+37.21 грн
100+30.02 грн
250+29.87 грн
500+26.49 грн
1000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Виробник : INFINEON 2255646.pdf Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.79 грн
50+44.38 грн
100+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 4968196043815011dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043382e837.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 4968196043815011dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043382e837.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BAD4E4CB169820&compId=IPD50R500CE.pdf?ci_sign=1c280a951ac6d41a472b96add4a573d6c135a84d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; Idm: 24A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BAD4E4CB169820&compId=IPD50R500CE.pdf?ci_sign=1c280a951ac6d41a472b96add4a573d6c135a84d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; Idm: 24A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.