Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50R500CEAUMA1
IPD50R500CEAUMA1

IPD50R500CEAUMA1 Infineon Technologies

dgdl?fileId=db3a3043382e83730138514ff7881004
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.06 грн
5000+19.64 грн
7500+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50R500CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD50R500CEAUMA1 за ціною від 22.33 грн до 86.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Infineon Technologies 4968196043815011dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043382e837.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Infineon Technologies 4968196043815011dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043382e837.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+36.92 грн
431+32.63 грн
432+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Infineon Technologies 4968196043815011dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043382e837.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.96 грн
25+36.92 грн
100+31.47 грн
250+29.09 грн
500+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a3043382e83730138514ff7881004 Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
на замовлення 10072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+52.48 грн
100+34.68 грн
500+25.36 грн
1000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD50R500CE_DS_v02_02_EN-1731773.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 INFINEON 2255646.pdf Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 INFINEON 2255646.pdf Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 4968196043815011dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043382e837.pdf
IPD50R500CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 4968196043815011dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043382e837.pdf
IPD50R500CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
381+36.92 грн
431+32.63 грн
432+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 4968196043815011dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043382e837.pdf
IPD50R500CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+36.96 грн
25+36.92 грн
100+31.47 грн
250+29.09 грн
500+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 dgdl?fileId=db3a3043382e83730138514ff7881004
IPD50R500CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
на замовлення 10072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.21 грн
10+52.48 грн
100+34.68 грн
500+25.36 грн
1000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 Infineon_IPD50R500CE_DS_v02_02_EN-1731773.pdf
IPD50R500CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 2255646.pdf
IPD50R500CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 2255646.pdf
IPD50R500CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.