Технічний опис IPD50R520CPATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; PG-TO252-3, Case: PG-TO252-3, Mounting: SMD, Drain current: 7.1A, On-state resistance: 0.52Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 66W, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 500V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPD50R520CPATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD50R520CPATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 500V 7.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IPD50R520CPATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; PG-TO252-3 Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD Drain current: 7.1A On-state resistance: 0.52Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 66W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
| IPD50R520CPATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: LOW POWER_LEGACY |
товару немає в наявності |
||
|
|
IPD50R520CPATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; PG-TO252-3 Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD Drain current: 7.1A On-state resistance: 0.52Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 66W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V |
товару немає в наявності |