Технічний опис IPD50R650CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-Channel 500V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт.
Інші пропозиції IPD50R650CEATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IPD50R650CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 |
на замовлення 2406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
IPD50R650CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 550V 19A DPAK-2 |
на замовлення 683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPD50R650CEATMA1 | Виробник : Infineon |
MOSFET N-Channel 500V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
|
IPD50R650CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 |
товару немає в наявності |

