Технічний опис IPD50R650CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-Channel 500V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Транзистори.
Інші пропозиції IPD50R650CEATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD50R650CEATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 |
на замовлення 2406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IPD50R650CEATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 550V 19A DPAK-2 |
на замовлення 683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPD50R650CEATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Description: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD50R650CEATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 550V 19A DPAK-2
MOSFET N-Ch 550V 19A DPAK-2
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)