Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50R650CEAUMA1
IPD50R650CEAUMA1

IPD50R650CEAUMA1 Infineon Technologies

1323infineon-ipd50r650ce-ds-v02_03-en.pdffileiddb3a304339d29c450139d4.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.77 грн
5000+27.14 грн
10000+25.27 грн
12500+24.36 грн
25000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50R650CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD50R650CEAUMA1 за ціною від 22.93 грн до 83.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD50R650CEAUMA1 IPD50R650CEAUMA1 Infineon Technologies 1323infineon-ipd50r650ce-ds-v02_03-en.pdffileiddb3a304339d29c450139d4.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.22 грн
5000+29.46 грн
10000+27.42 грн
12500+26.43 грн
25000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1 IPD50R650CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50R650CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d41341a202a1 Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.90 грн
10+52.11 грн
100+34.26 грн
500+25.45 грн
1000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1 IPD50R650CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD50R650CE_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1 IPD50R650CEAUMA1 INFINEON 2354540.pdf Description: INFINEON - IPD50R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1 IPD50R650CEAUMA1 INFINEON 2354540.pdf Description: INFINEON - IPD50R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1 Infineon Infineon-IPD50R650CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d41341a202a1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1 1323infineon-ipd50r650ce-ds-v02_03-en.pdffileiddb3a304339d29c450139d4.pdf
IPD50R650CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+31.22 грн
5000+29.46 грн
10000+27.42 грн
12500+26.43 грн
25000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1 Infineon-IPD50R650CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d41341a202a1
IPD50R650CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.90 грн
10+52.11 грн
100+34.26 грн
500+25.45 грн
1000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1 Infineon_IPD50R650CE_DS_v02_03_EN.pdf
IPD50R650CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1 2354540.pdf
IPD50R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1 2354540.pdf
IPD50R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1 Infineon-IPD50R650CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d41341a202a1
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.