Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50R950CEAUMA1
IPD50R950CEAUMA1

IPD50R950CEAUMA1 Infineon Technologies

4742643189515509ipd50r950ce_2_028229.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2..pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50R950CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: CONSUMER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V, Power Dissipation (Max): 53W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-344, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD50R950CEAUMA1 за ціною від 14.59 грн до 68.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD50R950CEAUMA1 IPD50R950CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 4742643189515509ipd50r950ce_2_028229.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2..pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEAUMA1 IPD50R950CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 4742643189515509ipd50r950ce_2_028229.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2..pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEAUMA1 IPD50R950CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPU50R950CE_DS_v02_03_EN-1731932.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.89 грн
10+41.96 грн
100+24.87 грн
500+20.75 грн
1000+17.66 грн
2500+16.04 грн
5000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEAUMA1 IPD50R950CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPU50R950CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a3043382e837301385194b31e1064 Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.44 грн
10+41.08 грн
100+26.72 грн
500+19.27 грн
1000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 4742643189515509ipd50r950ce_2_028229.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2..pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEAUMA1 IPD50R950CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 4742643189515509ipd50r950ce_2_028229.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2..pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEAUMA1 IPD50R950CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPU50R950CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a3043382e837301385194b31e1064 Description: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.