Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD530N15N3GATMA1
IPD530N15N3GATMA1

IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies

2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD530N15N3GATMA1 за ціною від 33.80 грн до 115.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.56 грн
500+42.58 грн
1000+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
193+63.20 грн
250+60.67 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
181+67.55 грн
183+66.85 грн
228+53.56 грн
230+51.25 грн
500+46.82 грн
1000+44.86 грн
2000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+81.16 грн
152+80.34 грн
192+63.69 грн
250+60.80 грн
500+45.86 грн
1000+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+92.65 грн
10+75.36 грн
25+74.60 грн
100+57.03 грн
250+52.27 грн
500+40.88 грн
1000+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD530N15N3_DS_v02_06_en-1731787.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 21256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.89 грн
10+71.99 грн
100+49.03 грн
500+36.92 грн
1000+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.68 грн
11+79.53 грн
100+56.56 грн
500+42.58 грн
1000+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.91 грн
10+76.14 грн
100+54.05 грн
500+43.92 грн
1000+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1
Код товару: 182945
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.