Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPD530N15N3GATMA1

IPD530N15N3GATMA1

Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
Код товару: 182945
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD530N15N3GATMA1 за ціною від 38.27 грн до 161.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.56 грн
10+85.60 грн
100+57.73 грн
500+42.96 грн
1000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD530N15N3_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 6449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.17 грн
10+101.32 грн
100+59.28 грн
500+48.07 грн
1000+43.06 грн
2500+40.25 грн
5000+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 Infineon Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
IPD530N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
IPD530N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+139.56 грн
10+85.60 грн
100+57.73 грн
500+42.96 грн
1000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 Infineon_IPD530N15N3_DS_v02_06_en.pdf
IPD530N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 6449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+161.17 грн
10+101.32 грн
100+59.28 грн
500+48.07 грн
1000+43.06 грн
2500+40.25 грн
5000+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.