Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD530N15N3GATMA1

IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Name: IPD530N15N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 626910-7
Price: 83575.00 UAH
Availability: InStock

2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	33.43 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD530N15N3GATMA1 за ціною від 40.80 грн до 142.22 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPD530N15N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	52.37 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	60.01 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Виробник : INFINEON

INFNS30357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	62.08 грн
500+	49.86 грн
1000+	42.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
193+	66.26 грн
250+	63.60 грн

Мінімальне замовлення: 193

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
181+	70.82 грн
183+	70.08 грн
228+	56.14 грн
230+	53.73 грн
500+	49.09 грн
1000+	47.03 грн
2000+	46.85 грн

Мінімальне замовлення: 181

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
150+	85.08 грн
152+	84.22 грн
192+	66.77 грн
250+	63.73 грн
500+	48.08 грн
1000+	41.12 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IPD530N15N3_DS_v02_06_en-1731787.pdf

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 13685 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	101.95 грн
10+	74.60 грн
25+	60.46 грн
100+	49.20 грн
250+	49.12 грн
500+	45.82 грн
1000+	42.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	103.33 грн
50+	71.53 грн
100+	58.20 грн
500+	50.35 грн
1000+	43.60 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	112.07 грн
10+	91.16 грн
25+	90.24 грн
100+	68.98 грн
250+	63.23 грн
500+	49.45 грн
1000+	44.06 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c

Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V

на замовлення 1220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	142.22 грн
10+	87.34 грн
100+	58.88 грн
500+	43.82 грн
1000+	40.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 129 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Виробник : Infineon

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1
Код товару: 182945

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD530N15N3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.