Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPD530N15N3GATMA1

IPD530N15N3GATMA1

Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
Код товару: 182945
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD530N15N3GATMA1 за ціною від 34.84 грн до 127.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.03 грн
500+45.80 грн
1000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+65.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
193+72.46 грн
250+69.56 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
181+77.45 грн
183+76.64 грн
228+61.40 грн
230+58.76 грн
500+53.68 грн
1000+51.43 грн
2000+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD530N15N3_DS_v02_06_en-1731787.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 13685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.06 грн
10+65.90 грн
25+53.41 грн
100+43.46 грн
250+43.39 грн
500+40.47 грн
1000+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+93.05 грн
152+92.11 грн
192+73.02 грн
250+69.70 грн
500+52.58 грн
1000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.92 грн
50+65.72 грн
100+53.47 грн
500+46.26 грн
1000+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+114.39 грн
10+93.05 грн
25+92.11 грн
100+70.41 грн
250+64.54 грн
500+50.48 грн
1000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
на замовлення 3569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.52 грн
10+78.42 грн
100+52.86 грн
500+39.34 грн
1000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.