Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPD530N15N3GATMA1

IPD530N15N3GATMA1

Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
Код товару: 182945
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD530N15N3GATMA1 за ціною від 38.08 грн до 135.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+72.95 грн
250+70.03 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+77.97 грн
183+77.16 грн
228+61.82 грн
230+59.16 грн
500+54.05 грн
1000+51.78 грн
2000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+93.68 грн
152+92.73 грн
192+73.51 грн
250+70.17 грн
500+52.93 грн
1000+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.16 грн
10+93.68 грн
25+92.73 грн
100+70.89 грн
250+64.98 грн
500+50.82 грн
1000+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.47 грн
10+83.09 грн
100+56.04 грн
500+41.70 грн
1000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD530N15N3_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 6449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 INFINEON INFNS30357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 INFINEON INFNS30357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 Infineon Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
IPD530N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf
IPD530N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf
IPD530N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf
IPD530N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
193+72.95 грн
250+70.03 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf
IPD530N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
181+77.97 грн
183+77.16 грн
228+61.82 грн
230+59.16 грн
500+54.05 грн
1000+51.78 грн
2000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf
IPD530N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+93.68 грн
152+92.73 грн
192+73.51 грн
250+70.17 грн
500+52.93 грн
1000+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf
IPD530N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+115.16 грн
10+93.68 грн
25+92.73 грн
100+70.89 грн
250+64.98 грн
500+50.82 грн
1000+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
IPD530N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.47 грн
10+83.09 грн
100+56.04 грн
500+41.70 грн
1000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 Infineon_IPD530N15N3_DS_v02_06_en.pdf
IPD530N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 6449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 INFNS30357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD530N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf
IPD530N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 INFNS30357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD530N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.