Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD530N15N3GATMA1
IPD530N15N3GATMA1

IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD530N15N3GATMA1 за ціною від 36.73 грн до 127.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.18 грн
500+45.92 грн
1000+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+60.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
193+67.02 грн
250+64.34 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
181+71.63 грн
183+70.88 грн
228+56.79 грн
230+54.35 грн
500+49.65 грн
1000+47.57 грн
2000+47.39 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+86.06 грн
152+85.19 грн
192+67.54 грн
250+64.47 грн
500+48.63 грн
1000+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD530N15N3_DS_v02_06_en-1731787.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 13685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.29 грн
10+66.07 грн
25+53.55 грн
100+43.58 грн
250+43.51 грн
500+40.58 грн
1000+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+95.17 грн
50+65.89 грн
100+53.61 грн
500+46.38 грн
1000+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+113.36 грн
10+92.21 грн
25+91.28 грн
100+69.78 грн
250+63.96 грн
500+50.02 грн
1000+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
на замовлення 3569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.86 грн
10+78.63 грн
100+53.00 грн
500+39.44 грн
1000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1
Код товару: 182945
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.