IPD5N25S3430ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 39.85 грн |
| 5000+ | 36.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD5N25S3430ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD5N25S3430ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 41W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPD5N25S3430ATMA1 за ціною від 32.26 грн до 140.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD5N25S3430ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD5N25S3430ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 41W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD5N25S3430ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD5N25S3430ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IPD5N25S3430ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD5N25S3430ATMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |