IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 70.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPD600N25N3GATMA1 за ціною від 72.32 грн до 262.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD600N25N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD600N25N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD600N25N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD600N25N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD600N25N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD600N25N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V |
на замовлення 22004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD600N25N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >150 - 400V |
на замовлення 5732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD600N25N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD600N25N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD600N25N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD600N25N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPD600N25N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 18A Power dissipation: 136W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 100A |
товару немає в наявності |