IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 71.96 грн |
| 7500+ | 65.50 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.
Інші пропозиції IPD600N25N3GATMA1 за ціною від 72.79 грн до 319.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V |
на замовлення 21561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >150 - 400V |
на замовлення 9014 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPD600N25N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 110.06 грн |
| IPD600N25N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 110.29 грн |
| IPD600N25N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 135.13 грн |
| IPD600N25N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 157.36 грн |
| IPD600N25N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 217.35 грн |
| 77+ | 188.37 грн |
| 100+ | 164.22 грн |
| 2000+ | 143.22 грн |
| IPD600N25N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 21561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 232.88 грн |
| 10+ | 145.91 грн |
| 50+ | 112.07 грн |
| 100+ | 94.95 грн |
| 500+ | 77.02 грн |
| IPD600N25N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 55+ | 264.80 грн |
| 68+ | 214.31 грн |
| 100+ | 200.76 грн |
| 500+ | 171.02 грн |
| 1000+ | 148.45 грн |
| 2000+ | 138.30 грн |
| 5000+ | 133.02 грн |
| IPD600N25N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >150 - 400V
MOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 9014 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 265.33 грн |
| 10+ | 132.04 грн |
| 100+ | 102.30 грн |
| 500+ | 83.90 грн |
| 1000+ | 80.96 грн |
| 2500+ | 72.79 грн |
| IPD600N25N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 319.42 грн |
| 10+ | 207.95 грн |
| 100+ | 150.72 грн |
| 500+ | 125.34 грн |
| 1000+ | 111.84 грн |
| IPD600N25N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 319.42 грн |
| 70+ | 207.95 грн |
| 100+ | 150.72 грн |
| 500+ | 125.34 грн |
| 1000+ | 111.84 грн |






