Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD600N25N3GATMA1
IPD600N25N3GATMA1

IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD600N25N3G_-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f17012496b03c67195b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+87.79 грн
5000+79.59 грн
7500+77.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD600N25N3GATMA1 за ціною від 80.35 грн до 292.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD600N25N3GATMA1 IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD600N25N3G__DS_v02_03_en.pdf MOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.54 грн
10+174.27 грн
100+110.66 грн
500+92.33 грн
1000+85.28 грн
2500+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1 IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD600N25N3G_-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f17012496b03c67195b Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 9174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.28 грн
10+176.92 грн
100+122.99 грн
500+93.79 грн
1000+86.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1 IPD600N25N3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD600N25N3G_-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f17012496b03c67195b Description: INFINEON - IPD600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.74 грн
10+179.26 грн
100+124.99 грн
500+99.26 грн
1000+88.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1 Infineon_IPD600N25N3G__DS_v02_03_en.pdf
IPD600N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+270.54 грн
10+174.27 грн
100+110.66 грн
500+92.33 грн
1000+85.28 грн
2500+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1 Infineon-IPD600N25N3G_-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f17012496b03c67195b
IPD600N25N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 9174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+282.28 грн
10+176.92 грн
100+122.99 грн
500+93.79 грн
1000+86.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1 Infineon-IPD600N25N3G_-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f17012496b03c67195b
IPD600N25N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+292.74 грн
10+179.26 грн
100+124.99 грн
500+99.26 грн
1000+88.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.