Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60N10S412ATMA1
IPD60N10S412ATMA1

IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60N10S4-12-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a018870c994de0a3a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD60N10S412ATMA1 за ціною від 41.01 грн до 143.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+63.91 грн
1000+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+78.67 грн
180+78.44 грн
200+75.41 грн
500+69.62 грн
1000+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60N10S4-12-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a018870c994de0a3a Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.94 грн
10+88.58 грн
100+59.92 грн
500+44.72 грн
1000+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 INFINEON Infineon-IPD60N10S4-12-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a018870c994de0a3a Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60N10S4_12_DataSheet_v01_10_EN.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 4497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+58.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
550+63.91 грн
1000+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
179+78.67 грн
180+78.44 грн
200+75.41 грн
500+69.62 грн
1000+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 Infineon-IPD60N10S4-12-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a018870c994de0a3a
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.94 грн
10+88.58 грн
100+59.92 грн
500+44.72 грн
1000+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 Infineon-IPD60N10S4-12-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a018870c994de0a3a
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 Infineon_IPD60N10S4_12_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 4497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 INFN-S-A0000250463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.