Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60N10S412ATMA1
IPD60N10S412ATMA1

IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60N10S4-12-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a018870c994de0a3a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 94W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm.

Інші пропозиції IPD60N10S412ATMA1 за ціною від 42.67 грн до 207.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+79.38 грн
180+79.14 грн
200+76.09 грн
500+70.24 грн
1000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 55088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
405+87.59 грн
500+78.84 грн
1000+72.70 грн
10000+62.50 грн
Мінімальне замовлення: 405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
405+87.59 грн
500+78.84 грн
1000+72.70 грн
Мінімальне замовлення: 405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
405+87.59 грн
500+78.84 грн
1000+72.70 грн
10000+62.50 грн
Мінімальне замовлення: 405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.60 грн
159+89.71 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60N10S4-12-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a018870c994de0a3a Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.89 грн
10+92.14 грн
100+62.35 грн
500+46.53 грн
1000+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.48 грн
10+132.60 грн
100+89.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60N10S4_12_DataSheet_v01_10_EN.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+59.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+66.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
179+79.38 грн
180+79.14 грн
200+76.09 грн
500+70.24 грн
1000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 55088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
405+87.59 грн
500+78.84 грн
1000+72.70 грн
10000+62.50 грн
Мінімальне замовлення: 405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
405+87.59 грн
500+78.84 грн
1000+72.70 грн
Мінімальне замовлення: 405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
405+87.59 грн
500+78.84 грн
1000+72.70 грн
10000+62.50 грн
Мінімальне замовлення: 405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
107+132.60 грн
159+89.71 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 Infineon-IPD60N10S4-12-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a018870c994de0a3a
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.89 грн
10+92.14 грн
100+62.35 грн
500+46.53 грн
1000+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+207.48 грн
10+132.60 грн
100+89.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 INFN-S-A0000250463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 Infineon_IPD60N10S4_12_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 INFN-S-A0000250463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.