Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60N10S4L12ATMA1
IPD60N10S4L12ATMA1

IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60N10S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffd51cd0505 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0098 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD60N10S4L12ATMA1 за ціною від 39.34 грн до 150.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
554+55.00 грн
Мінімальне замовлення: 554
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
554+55.00 грн
1000+51.93 грн
Мінімальне замовлення: 554
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS28006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0098 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.57 грн
500+56.27 грн
1000+50.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
194+62.99 грн
212+57.51 грн
215+56.70 грн
500+54.58 грн
1000+50.45 грн
2000+48.16 грн
2500+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+68.33 грн
10+67.29 грн
25+66.25 грн
100+62.88 грн
250+57.30 грн
500+54.11 грн
1000+53.22 грн
3000+52.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+73.58 грн
168+72.46 грн
171+71.34 грн
174+67.72 грн
250+61.71 грн
500+58.28 грн
1000+57.32 грн
3000+56.36 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS28006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0098 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.27 грн
50+74.92 грн
100+62.57 грн
500+56.27 грн
1000+50.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60N10S4L_12_DS_v01_00_en-1731716.pdf MOSFETs N-Ch 100V 60A DPAK-2
на замовлення 5313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.14 грн
10+92.84 грн
100+59.08 грн
500+47.56 грн
1000+43.67 грн
2500+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60N10S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffd51cd0505 Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 67464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.05 грн
10+92.27 грн
100+62.43 грн
500+46.58 грн
1000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPD60N10S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffd51cd0505
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.