IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 554+ | 66.33 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
554 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0098 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPD60N10S4L12ATMA1 за ціною від 57.99 грн до 245.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD60N10S4L12ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60N10S4L12ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60N10S4L12ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60N10S4L12ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60N10S4L12ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60N10S4L12ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60N10S4L12ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IPD60N10S4L12ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0098 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD60N10S4L12ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 554+ | 66.33 грн |
| 1000+ | 62.63 грн |
| IPD60N10S4L12ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 194+ | 75.97 грн |
| 212+ | 69.36 грн |
| 215+ | 68.38 грн |
| 500+ | 65.82 грн |
| 1000+ | 60.84 грн |
| 2000+ | 58.09 грн |
| 2500+ | 57.99 грн |
| IPD60N10S4L12ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 88.74 грн |
| 10+ | 87.39 грн |
| 25+ | 86.04 грн |
| 100+ | 81.67 грн |
| 250+ | 74.42 грн |
| 500+ | 70.28 грн |
| 1000+ | 69.13 грн |
| 3000+ | 67.98 грн |
| IPD60N10S4L12ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 166+ | 88.74 грн |
| 168+ | 87.39 грн |
| 171+ | 86.04 грн |
| 174+ | 81.67 грн |
| 250+ | 74.42 грн |
| 500+ | 70.28 грн |
| 1000+ | 69.13 грн |
| 3000+ | 67.98 грн |
| IPD60N10S4L12ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 221.90 грн |
| 76+ | 194.34 грн |
| 79+ | 185.98 грн |
| 92+ | 155.10 грн |
| 100+ | 135.19 грн |
| 250+ | 118.43 грн |
| 500+ | 108.04 грн |
| 1000+ | 106.96 грн |
| IPD60N10S4L12ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 245.80 грн |
| 66+ | 223.34 грн |
| 100+ | 182.17 грн |
| 200+ | 163.63 грн |
| 1000+ | 124.77 грн |
| 2000+ | 111.22 грн |
| IPD60N10S4L12ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD60N10S4L12ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0098 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0098 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)