IPD60R145CFD7ATMA1

IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD60R145CFD7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635ebca8052a8d Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+83.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD60R145CFD7ATMA1 за ціною від 85.39 грн до 263.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Виробник : INFINEON 2643869.pdf Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+120.20 грн
500+93.27 грн
1000+85.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r145cfd7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+128.21 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r145cfd7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+131.48 грн
10+121.91 грн
100+119.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r145cfd7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+152.14 грн
81+151.13 грн
100+148.09 грн
2000+129.11 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r145cfd7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+188.09 грн
67+183.63 грн
68+179.17 грн
100+168.46 грн
250+152.00 грн
500+142.16 грн
1000+138.34 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R145CFD7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635ebca8052a8d Description: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.15 грн
10+143.27 грн
100+109.07 грн
500+89.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Виробник : INFINEON 2643869.pdf Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+223.94 грн
10+163.01 грн
100+120.20 грн
500+93.27 грн
1000+85.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R145CFD7_DataSheet_v02_02_EN-3362526.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.72 грн
10+185.68 грн
25+160.73 грн
100+119.63 грн
500+98.34 грн
1000+93.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r145cfd7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r145cfd7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r145cfd7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd60r145cfd7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.