Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R145CFD7ATMA1
IPD60R145CFD7ATMA1

IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R145CFD7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635ebca8052a8d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+86.78 грн
5000+81.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm.

Інші пропозиції IPD60R145CFD7ATMA1 за ціною від 93.26 грн до 326.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+147.51 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+157.97 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+177.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+181.47 грн
500+163.90 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R145CFD7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635ebca8052a8d Description: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 18283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.71 грн
10+171.67 грн
100+120.20 грн
500+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+326.59 грн
10+216.54 грн
25+214.39 грн
100+156.79 грн
250+143.67 грн
500+132.86 грн
1000+127.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+326.59 грн
65+216.54 грн
66+214.39 грн
100+156.79 грн
250+143.67 грн
500+132.86 грн
1000+127.73 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 INFINEON 2643869.pdf Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R145CFD7_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 INFINEON 2643869.pdf Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf
IPD60R145CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+147.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf
IPD60R145CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+147.51 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf
IPD60R145CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
89+157.97 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf
IPD60R145CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+177.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf
IPD60R145CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
194+181.47 грн
500+163.90 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon-IPD60R145CFD7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635ebca8052a8d
IPD60R145CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 18283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.71 грн
10+171.67 грн
100+120.20 грн
500+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf
IPD60R145CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+326.59 грн
10+216.54 грн
25+214.39 грн
100+156.79 грн
250+143.67 грн
500+132.86 грн
1000+127.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf
IPD60R145CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+326.59 грн
65+216.54 грн
66+214.39 грн
100+156.79 грн
250+143.67 грн
500+132.86 грн
1000+127.73 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 2643869.pdf
IPD60R145CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf
IPD60R145CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon_IPD60R145CFD7_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPD60R145CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 2643869.pdf
IPD60R145CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.