Технічний опис IPD60R170CFD7 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Mounting: SMD, Gate charge: 28nC, On-state resistance: 0.325Ω, Drain current: 9A, Power dissipation: 76W, Gate-source voltage: ±20V, Technology: OptiMOS™, Drain-source voltage: 600V, Case: PG-TO252-3.
Інші пропозиції IPD60R170CFD7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R170CFD7 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Mounting: SMD Gate charge: 28nC On-state resistance: 0.325Ω Drain current: 9A Power dissipation: 76W Gate-source voltage: ±20V Technology: OptiMOS™ Drain-source voltage: 600V Case: PG-TO252-3 |
товару немає в наявності |