IPD60R170CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 76W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R170CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 9A, Power dissipation: 76W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.325Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 28nC, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPD60R170CFD7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R170CFD7 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
товару немає в наявності |
|
|
|
IPD60R170CFD7 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Power dissipation: 76W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.325Ω Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |