Продукція > INFINEON > IPD60R170CFD7ATMA1
IPD60R170CFD7ATMA1

IPD60R170CFD7ATMA1 INFINEON


2372022.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R170CFD7ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 76W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD60R170CFD7ATMA1 за ціною від 75.78 грн до 249.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r170cfd7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+115.91 грн
500+110.83 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r170cfd7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+152.51 грн
82+149.46 грн
100+146.41 грн
1000+140.20 грн
2000+118.02 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 Виробник : INFINEON 2372022.pdf Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+210.45 грн
10+145.25 грн
100+104.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD60R170CFD7_DataSheet_v02_02_EN-3362728.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.02 грн
10+165.82 грн
100+105.20 грн
250+95.64 грн
500+89.02 грн
1000+80.19 грн
2500+75.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R170CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ea385c6ce31a8 Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.88 грн
10+157.02 грн
100+109.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPD60R170CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ea385c6ce31a8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r170cfd7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r170cfd7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r170cfd7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD60R170CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ea385c6ce31a8 Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.