Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R170CFD7ATMA1
IPD60R170CFD7ATMA1

IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipa60r170cfd7-datasheet-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+94.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 76W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm.

Інші пропозиції IPD60R170CFD7ATMA1 за ціною від 95.16 грн до 278.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r170cfd7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r170cfd7-datasheet-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.93 грн
500+128.76 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r170cfd7-datasheet-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+192.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r170cfd7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+235.30 грн
80+177.66 грн
100+149.34 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r170cfd7-datasheet-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.14 грн
10+190.23 грн
100+134.83 грн
500+111.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r170cfd7-datasheet-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+278.14 грн
75+190.23 грн
106+134.83 грн
500+111.43 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R170CFD7_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 INFINEON 2372022.pdf Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 INFINEON 2372022.pdf Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.43 грн
10+149.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 infineon-ipa60r170cfd7-datasheet-v02_03-en.pdf
IPD60R170CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+95.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 infineon-ipd60r170cfd7-datasheet-en.pdf
IPD60R170CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
248+142.93 грн
500+128.76 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 infineon-ipd60r170cfd7-datasheet-en.pdf
IPD60R170CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+192.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 infineon-ipa60r170cfd7-datasheet-v02_03-en.pdf
IPD60R170CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+235.30 грн
80+177.66 грн
100+149.34 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 infineon-ipd60r170cfd7-datasheet-en.pdf
IPD60R170CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+278.14 грн
10+190.23 грн
100+134.83 грн
500+111.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 infineon-ipd60r170cfd7-datasheet-en.pdf
IPD60R170CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
51+278.14 грн
75+190.23 грн
106+134.83 грн
500+111.43 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon_IPD60R170CFD7_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPD60R170CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 2372022.pdf
IPD60R170CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 2372022.pdf
IPD60R170CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+238.43 грн
10+149.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1
Виробник: Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.