IPD60R180CM8XTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 111.92 грн |
| 10+ | 105.15 грн |
| 25+ | 100.35 грн |
| 100+ | 94.08 грн |
| 250+ | 84.59 грн |
| 500+ | 80.39 грн |
| 1000+ | 76.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R180CM8XTMA1 Infineon Technologies
Description: IPD60R180CM8XTMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 127W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPD60R180CM8XTMA1 за ціною від 59.88 грн до 151.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD60R180CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 18A T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R180CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPD60R180CM8XTMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V |
на замовлення 1413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD60R180CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD60R180CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPD60R180CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Power Transistor |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD60R180CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPD60R180CM8XTMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |