IPD60R180CM8XTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 187+ | 67.73 грн |
| 195+ | 65.16 грн |
| 199+ | 63.60 грн |
| 250+ | 60.72 грн |
| 500+ | 55.65 грн |
| 1000+ | 52.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD60R180CM8XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD60R180CM8XTMA1 за ціною від 46.64 грн до 177.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD60R180CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD60R180CM8XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD60R180CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 1447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R180CM8XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD60R180CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPD60R180CM8XTMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD60R180CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPD60R180CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Power Transistor |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPD60R180CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPD60R180CM8XTMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |